|
Effect of spin coating on electrical properties of MXene films deposited from non-aqueous solvents
Gutsul, O. ; Szabó, Ondrej ; Pfeifer, R. ; Sasitharan, K. ; Jackivová, Rajisa ; Slobodyan, V. ; Kromka, Alexander ; Rezek, B.
We investigated the effect of spin coating parameters on the electrical properties of Ti3C2 MXene thin films deposited from non-aqueous suspensions in N,N-dimethyl formamide (DMF) and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) on gold interdigitated electrodes (IDE). The electrical properties of DMF-MXenes and NMP-MXenes films are characterized by impedance spectroscopy (4 Hz - 8 MHz at 1 V) using gold IDE with 25 µm gap. The electrical conductivity of MXene films decreases with increasing spin coating speed from 300 to 900 rpm. The series resistance (Rs) and double layer capacitance remain similar (Cdl). In all cases, MXenes deposited from DMF have five orders of magnitude higher electrical conductivity (lower Rct) than MXene films deposited from NMP. It is correlated with the thin film morphology obtained by scanning electron microscopy (SEM). These findings can be useful for possible application of MXenes as charge transport layers in hybrid photovoltaic devices.
|
|
Tenké vrstvy pro fotovoltaiku nanášené plasmochemickými metodami
Fejfar, Antonín
Tenké vrstvy jsou klíčovou komponentou prakticky všech moderních fotovoltaických článků pro využití sluneční energie. Články využívají tenké vrstvy pro dosažení optimálního záchytu světla, pro rozdělení a sběr fotogenerovaných nábojů i pro pasivaci rozhraní či přímo jako vrstvy absorbující fotony slunečního svitu. Každoročně jsou tak nanášeny vrstvy o celkové ploše řádu mnoha stovek kilometrů čtverečních, a to především s využitím plazmochemických technologií.
|
|
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
|
|
Polyvinylpyrrolidone coating for nanodiamond stabilization in saline solution and silver nanoparticle decoration
Kolářová, Kateřina ; Miliaieva, Daria ; Stehlík, Štěpán
This work presents use of polyvinylpyrrolidone (PVP) for multipurpose coating of oxidized high-pressure high-temperature and detonation nanodiamonds. This simple way of nanodiamonds surface modification aims to improve their colloidal stability in biological environments and reduce their proneness to agglomeration. PVP immobilized on nanodiamond surface also provides for nanodiamond-supported AgNPs preparation by in situ synthesis using AgNO3 as a metallic nanoparticles precursor. Dynamic light scattering (DLS) and UV-vis spectroscopy were used for evaluation of nanoparticles size distribution and dispersibility in water and after exposition of nanoparticles in saline solution. Images acquired by scanning electron microscopy and transmission electron microscope validate the possibility of binding ~ 10 nm AgNPs to nanodiamonds surface.
|
| |
|
Chemická depozice diamantových tenkých vrstev z par plynů
Kromka, Alexander
Příprava diamantových vrstev a jejich (nano-) struktur vyžaduje zvládnutí více technologických kroků. V prvním kroku „diamantové technologie” je důležité aktivovat povrch nediamantové podložky vhodným procesem známým jako nukleace nebo zárodkování. Nejčastěji se jedná o proces pokrytí povrchu podložky (nano-) částicemi diamantu nebo aktivace povrchu podložky iontovým bombardováním. Druhým klíčovým krokem je samotný růst diamantové vrstvy tzv. chemickou depozicí z par plynů (tzv. „Chemical Vapor Deposition” - CVD) za nízkých tlaků (10 ÷ 10 000 Pa) a teplot v rozsahu 250 ÷ 1000 °C, která je nejčastěji realizována v plynné směsi metanu a vodíku v systému žhaveného vlákna nebo mikrovlnného plazmatu. V tomto příspěvku jsou oba technologické kroky, nukleace a růst, diskutovány se zřetelem aktuálních trendů a experimentálních aktivit probíhajících v laboratořích Fyzikálního ústavu AV ČR (FZÚ).\n
|
| |
|
Role of Urbach Energy in Photovoltaics
Vlk, Aleš ; Abelová, Lucie ; Hájková, Zdeňka ; Remeš, Zdeněk ; Holovský, Jakub ; Ledinský, Martin
Organic-inorganic halide perovskites provide new opportunities for improvement of optoelectronic device performance, especially the efficiency of solar cells. To evaluate the quality of a new material many parameters has to be taken into account. Here, we discuss one of the often overlooked semiconductor’s parameters, Urbach energy, which is an easily accessible measure of material disorder. Moreover, we present its importance on the example of organic-inorganic halide perovskites.
|
| |
| |