|
|
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
|
|
|
EU a terorismus - vývoj společné politiky 1999-2005. Aktivně nebo reaktivně?
Hulicius, Eduard ; Šlosarčík, Ivo (vedoucí práce) ; Weiss, Tomáš (oponent)
Tato práce má ukázat na příkladu tvorby společné protiteroristické politiky Evropské unie způsob prorůstání nadnárodního prvku integrace do výsad mezinárodních smluv. Práce má pokrývat období od roku 1999. kdy na summitu Evropské rady v Tampere došlo к prvnímu impulsu vytvořeni společné politiky, do června roku 2004 kdy byl představen Akční plán pro obranu proti terorismu a dále do jara roku 2005 kdy má dojít к jeho zhodnocení. Zvláštní pozornost bude věnována dvojité akceleraci ve vývoji po 11. září 2001 a 11. březnu 2004. Boj proti terorismu se stává hlavní zahraničně-politickou doktrínou západního světa pro počátek 21. století. Je důležité vědět, jak se vývoj na východní straně severního Atlantiku odlišuje od vývoje v USA. Proto bude také součástí práce srovnání reaktivní politiky Evropských států a EU s proaktivni politikou USA a nastíněn možný budoucí vývoj. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Structural defects in II-VI semiconductors
Šedivý, Lukáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hulicius, Eduard (oponent) ; Schneeweiss, Oldřich (oponent)
Název práce: Strukturní defekty v II-VI polovodičích Autor: Lukáš Šedivý Department: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Školitel: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy, Matematicko- fyzikální fakulta, Univerzita Karlova Abstrakt : Chlórem dopovaný mono-krystal Teluridu kademnatého CdTe je perspektivní materiál pro výrobu nechlazených detektorů vysokoenergetického záření především pro jeho vysoký absorpční koeficient, vysoký odpor za pokojové teploty, dobrou elektron/děrovou pohyblivost a příznivý µτ produkt. Cílem této práce je zmapovat vliv systematického žíhání v parách Cd a Te na výslednou defektní strukturu krystalu. Přičemž první experi- mentální kapitola je věnována metodice odstranění inkluzí běžně přítomných v CdTe : Cl, které významně limitují detekční schopnosti materiálu. Následující experimentální kapitoly jsou zasvěceny výzkumu bodových defektu v CdTe : Cl. V práci je představena metoda půlení intervalu, která umožňuje nastolit/znovunastolit vysokoodporový stav krystalu. Vliv bodových defektu v termodynamické rovnováze na galvanomagnetické charakteristiky krystalu je studován pomocí in-situ měření Hallova jevu za vysokých teplot. Změřená ex- perimentální data...
|
|
|
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures
Hulicius, Eduard ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Dominec, Filip ; Humlíček, J. ; Pelant, Ivan ; Cibulka, Ondřej ; Herynková, Kateřina
GaN/AlGaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) attain better performance than their state-of-the-art full silicon-based counterparts do, offering higher power, higher frequency as well as higher temperature of operation and stability, although their voltage and current limits are somewhat lower than for the SiC-based HEMTs. GaN/AlGaN-based HEMTs are a potential choice for electric-powered vehicles, for which they are approved not only for their power parameters, but also for their good temperature stability, lifetime and reliability. It is important to optimize HEMT structures and their growth parameters to reach the optimum function for the real-world applications. HEMT structures were grown by MOVPE technology in AIXTRON apparatus on (111)-oriented single-surface polished Si substrates. Structural, optical and transport properties of the structures were measured by X-ray diffraction, optical reflectivity, time-resolved photoluminescence and micro-Raman spectroscopy.\n
|
|
|
EU a terorismus - vývoj společné politiky 1999-2005. Aktivně nebo reaktivně?
Hulicius, Eduard ; Šlosarčík, Ivo (vedoucí práce) ; Weiss, Tomáš (oponent)
Tato práce má ukázat na příkladu tvorby společné protiteroristické politiky Evropské unie způsob prorůstání nadnárodního prvku integrace do výsad mezinárodních smluv. Práce má pokrývat období od roku 1999. kdy na summitu Evropské rady v Tampere došlo к prvnímu impulsu vytvořeni společné politiky, do června roku 2004 kdy byl představen Akční plán pro obranu proti terorismu a dále do jara roku 2005 kdy má dojít к jeho zhodnocení. Zvláštní pozornost bude věnována dvojité akceleraci ve vývoji po 11. září 2001 a 11. březnu 2004. Boj proti terorismu se stává hlavní zahraničně-politickou doktrínou západního světa pro počátek 21. století. Je důležité vědět, jak se vývoj na východní straně severního Atlantiku odlišuje od vývoje v USA. Proto bude také součástí práce srovnání reaktivní politiky Evropských států a EU s proaktivni politikou USA a nastíněn možný budoucí vývoj. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
| |
|
|
Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J.
The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.
|
|
|
Příprava a charakterizace vybraných optických materiálů
Hulicius, Eduard
Optimalizovali jsme krystalovou strukturu a technologii přípravy, abychom získali lepší parametry PL a RL a také homogenity struktury. Měřili a vyhodnotili jsme strukturní a optické parametry; byl diskutován jejich vliv na charakteristiky krystalu. Navrhli jsme nový vylepšený materiál. P.W = vlnová délka maxima; P.I = intenzita maxima; FWHM = šířka v polovině výška maxima; D.W = dominantní vlnová délka; I.W = integrální vlnová délka; I.I = integrovaná intenzita; R.F = reflektivita; T.H = tloušťka byly změřeny.
|
|
|
Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field
Kubištová, Jana ; Zíková, Markéta ; Kuldová, Karla ; Pangrác, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Petříček, Otto ; Oswald, Jiří
In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepared by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage have a broad spectrum of applications in optoelectronics.
|
|
|
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Kubištová, Jana ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J. ; Nikitis, F.
GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL.
|
host ::
RSS.