|
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
|
| |
| |
| |
|
Urychlovací přísada pro kompostéry a zahrádkářské komposty
HÁJEK, František
Podstata práce spočívá v navržení a výzkumu kvalitní urychlovací přísady do zahrádkářských kompostů. Přísada odstraňuje nedostatky vstupní nadrcené travní hmoty, která se kompostuje. Nadále jsou v práci popsány vlastnosti kompostu, podmínky správného kompostování a právní předpisy k produktu kompostovacího procesu. V metodice práce se řeší účinnost urychlovačů kompostů dostupných v obchodních sítích v tuzemsku a ve světě. Důležitou složkou mého urychlovače je hořčík z dolomitického vápence od firmy HASIT, který kladně ovlivňuje průběh humifikace. Pokus kompostování s tímto urychlovačem proběhl na drcené travní hmotě. K objektivnímu posouzení kvality kompostů se využilo metody stanovení kationtové výměnné kapacity dle Sandhoffa. Podařilo se dosáhnout zvýšení katitontové výměnné kapacity o 22 % u vzorku s urychlovačem ve srovnání s kontrolou, vzorkem kompostované samotné travní hmoty. Na základě zjištěných výsledků lze tvrdit, že navržený urychlovač má patrný kladný vliv na kompostování travní hmoty. Proto další práce na jeho složení má význam.
|