Název: General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Autoři: Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Conference on Nanomaterials - Research & Application /13./ NANOCON, Brno (CZ), 20211020
Rok: 2021
Jazyk: eng
Abstrakt: GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
Klíčová slova: dislocation; GaN devices; HEMT; MOVPE epitaxy
Číslo projektu: LM2018110 (CEP), LTAIN19163, CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, EF16_019/0000760
Poskytovatel projektu: GA MŠk, GA MŠk, OP VVV - SOLID21, GA MŠk
Zdrojový dokument: NANOCON 2021 - Conference proceedings, ISBN 978-80-88365-00-6, ISSN 2694-930X
Poznámka: Související webová stránka: https://www.confer.cz/nanocon/2021/4309-general-over-view-of-gan-devices-and-transport-properties-of-algan-gan-hemt-structures-impact-of-dislocation-density-and-improved-design

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: https://hdl.handle.net/11104/0333759

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-508705


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference