|
|
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
|
|
| |
|
|
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures
Hulicius, Eduard ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Dominec, Filip ; Humlíček, J. ; Pelant, Ivan ; Cibulka, Ondřej ; Herynková, Kateřina
GaN/AlGaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) attain better performance than their state-of-the-art full silicon-based counterparts do, offering higher power, higher frequency as well as higher temperature of operation and stability, although their voltage and current limits are somewhat lower than for the SiC-based HEMTs. GaN/AlGaN-based HEMTs are a potential choice for electric-powered vehicles, for which they are approved not only for their power parameters, but also for their good temperature stability, lifetime and reliability. It is important to optimize HEMT structures and their growth parameters to reach the optimum function for the real-world applications. HEMT structures were grown by MOVPE technology in AIXTRON apparatus on (111)-oriented single-surface polished Si substrates. Structural, optical and transport properties of the structures were measured by X-ray diffraction, optical reflectivity, time-resolved photoluminescence and micro-Raman spectroscopy.\n
|
|
|
Laserová spektroskopie polovodičových kvantových bodů
Pokorný, Martin ; Trojánek, František (vedoucí práce) ; Kuldová, Karla (oponent)
Práce je zaměřena na zkoumání fotoluminiscenčních vlastností InAs kvantových bodů na GaAs substrátu překrytých GaAs1-xSbx krycí vrstvou připravených Stranski-Krastanowovou metodou. Měřili jsme doby doznívání luminiscence dvou vzorků s různou koncentrací Sb v této vrstvě. Zkoumali jsme vliv teploty, intenzity a vlnové délky excitačního pulzu na intenzitu a dobu doznívání luminiscence. Porovnali jsme vlastnosti vzorku po excitaci 760 nm pulzem a 850 nm - v prvním případě byla energie excitačních fotonů větší, než šířka zakázaného pásu substrátu; při větší excitační vlnové délce jsme excitovali pouze kvantové tečky a smáčecí vrstvu. Z těchto vlastností dále odvozujeme rekombinační a relaxační procesy v InAs kvantových tečkách a transport nosičů náboje ze substrátu i smáčecí vrstvy do nich. Součástí práce bylo seznámení se s metodami měření ultrarychlé fotoluminiscence a sestavení experimentálního uspořádání.
|
|
|
Nelineární optické vlastnosti křemíkových nanostruktur
Žídek, Karel ; Trojánek, František (vedoucí práce) ; Bryknar, Zdeněk (oponent) ; Kuldová, Karla (oponent)
Název práce: Nelineární optické vlastnosti křemíkových nanostruktur Autor: Karel Žídek Katedra (ústav): Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí disertační práce: Doc. RNDr. František Trojánek, Ph.D. E-mail vedoucího: trojanek@karlov.mff.cuni.cz Abstrakt: Disertační práce se zabývá nelineárními optickými jevy a ultrarychlým vývojem luminis- cence křemíkových nanokrystalů. Pomocí metody optického hradlování signálu (časové rozlišení až 250 fs) porovnáváme ultrarychlý vývoj luminiscence křemíkových nanokrystalů s různými ve- likostmi (v řádu jednotek nanometrů) a také s rozdílnými formami pasivace. Pro nanokrystaly, kde po excitaci dominuje vliv zachytávání nosičů do povrchových stavů nanokrystalu, navrhujeme teoretický popis závislosti rychlosti těchto procesů na vlastnostech nanokrystalů. Dále v práci podrobně zkoumáme působení Augerovy rekombinace, která se projevuje jak v časově rozlišené, tak i v časově integrované emisi vzorků. Experimentální data velmi dobře popisuje námi navržený model na bázi kinetických rovnic. Závěr práce se zaměřuje na zkoumání ultrarychle dohasínající stimulované emise. U stávajících metod měření optického zisku (VSL a SES) navrhujeme jejich rozšíření pro...
|
|
|
Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field
Kubištová, Jana ; Zíková, Markéta ; Kuldová, Karla ; Pangrác, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Petříček, Otto ; Oswald, Jiří
In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepared by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage have a broad spectrum of applications in optoelectronics.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
host ::
RSS.