Institute of Physics

Latest additions:
2019-03-14
15:59
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Oswald, Jiří ; Slavická Zíková, Markéta
Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.\n

Detailed record
2019-03-14
15:59
Book of Abstracts of the 28th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education"
Kožíšek, Zdeněk ; Král, Robert ; Zemenová, Petra
Topics:\n- Trends in development of materials research \n- Education of materials science at the universities\n- Information about the research programmes of individual institutions \n- Information on equipment for preparation and characterisation of materials \n- Results of materials science research

Detailed record
2019-02-13
17:44
Hybridní reaktivní HiPIMS depoziční systém s pro depozicioptických funkčních vrstev na bázi oxidů kovů
Hubička, Zdeněk ; Čada, Martin ; Olejníček, Jiří ; Kšírová, Petra ; Tvarog, Drahoslav
Zpráva popisuje hybridní reaktivní HiPIMS depoziční systém s pro depozici optických funkčních vrstev na bázi oxidů kovů s definovanými optickými vlastnostmi.

Detailed record
2019-02-13
17:44
Plazmatický povlakovací systém dlouhých elektricky vodivých trubic
Hubička, Zdeněk
Zpráva popisuje plazmatickou metodu využívající pulzní výboj v duté katodě pro povlakování dlouhých elektricky vodivých trubek.

Detailed record
2019-02-13
17:43
Závěrečná zpráva z projektu - Bezpečné mazání paměťových čipů pomocí elektromagnetického pulsu
Fitl, Přemysl ; Vrňata, M. ; Fišer, L. ; Novotný, Michal ; Scholtz, V. ; Vlček, J. ; Tomeček, D.
Předmětem smluvního výzkumu byl teoretický rozbor a matematický model problematiky průniku elektromagnetického pulzu. Popis přípravy experimentu obsahující odpájení a odpouzdřování paměťových čipů, metodiky testování paměťových médií, stínění experimentu, stínění zkoumaného paměťového čipu, generování EMP, měření intenzity EMP. \nShrnutí výsledků provedeného experimentu.\nSouhrnná výzkumná zpráva byla předána zástupcům NUKIB dne 31.5.2018. \nZástupci NUKIB potvrdili převzetí zprávy. Oponentura výsledků projektu proběhla 27.6.2018 v budově NUKIB. Projekt byl splněn. Za vypracování této zprávy byla fakturována sjednaná částka.\n\n\n

Detailed record
2019-02-13
17:43
Bezpečné mazání paměťových čipů pomocí elektromagnetického pulsu – etapa 1
Fitl, Přemysl ; Vrňata, M. ; Fišer, L. ; Novotný, Michal ; Scholtz, V. ; Vlček, J. ; Tomeček, D.
Předmětem smluvního výzkumu bylo provedení rešerše principu funkce pamětí typu flash aktuálně dostupných na trhu. Souhrnná výzkumná zpráva popisuje technologický pokrok v jejich vývoji, možnosti vyčítání uložených/smazaných dat dostupnými laboratorními technikami a interakci těchto pamětí s elektromagnetickým pulzem.\nVýstup byl předán zástupcům NÚKIB dne 29.3.2018. Projekt byl splněn, za vypracování této zprávy byla fakturována sjednaná částka.\n\n

Detailed record
2019-01-07
14:42
Studium cesno-hafničitého chloridu metodami termické analýzy
Král, Robert ; Zemenová, Petra ; Bystřický, Aleš ; Vaněček, Vojtěch ; Kohoutková, M.
Tato práce se zabývá studiem procesů probíhajících při tepelném zatížení připraveného chloridu cesno-hafničitého (Cs2HfCl6) a jeho monokrystalu metodami termické analýzy: simultánní diferenciální skenovací kalorimetrií a termogravimetrií (DSC-TG) a termomechanickou analýzou (TMA). Výsledky prokázaly tepelnou nestabilitu Cs2HfCl6 a jeho rozklad na chlorid cesný a hafničitý nad eutektickou teplotou.\n

Detailed record
2018-11-26
14:31
Electronic transfer between nanostructures. Negative differential resistance in conductive polymers.
Král, Karel ; Menšík, Miroslav
The effect of negative differential resistance can be observed experimentally in some material systems based on polymers. These observation are explained usually to be due to the presence of certain carrier traps which can capture the carriers of the electric current. In the present theoretical work we are going to show that besides this carrier trapping origin of the negative differential resistance there can also be an intrinsic mechanism present, causing such an effect. Namely, instead of the traps, the electron-phonon interaction can cooperate with the tunneling of the charge carriers between their localized states and can provide the effect the negative differential resistance. This electron-phonon interaction is included in a non-perturbative way. The theory will be briefly summarized and explained.

Detailed record
2018-11-26
14:31
Histology and micro-CT study of diamond-coated metal bone implants
Potocký, Štěpán ; Ižák, Tibor ; Dragounová, Kateřina ; Kromka, Alexander ; Rezek, Bohuslav ; Mandys, V. ; Bartoš, M. ; Bačáková, Lucie ; Sedmera, David
A conformal coating of a thin diamond layer on three-dimensional metal bone implants was shown directly on stainless steel and TiAl6V4 cortical screw implant using ultrasonic and composite polymer pretreatment method. The best conformation coverage was achieved in the case of the WO3 interlayer for both stainless steel and TiAl6V4 screws. The process of osteointegration of the screw implants into rabbit femurs is evidenced by the formation of a bone edge via desmogenous ossification around the screws in less than six months after implantation. A detailed evaluation of the tissue reaction around the implanted screws shows good biocompatibility of diamond-coated metal bone implants.

Detailed record
2018-11-26
14:31
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles
Stuchlík, Jiří ; Fajgar, Radek ; Kupčík, Jaroslav ; Remeš, Zdeněk ; Stuchlíková, The-Ha
Substrates with ZnO (or ITO) conductive layers were covered by thin film of a-Si:H deposited by PECVD technique. Under a turbo-molecular vacuum (10-4 Pa) the reactive laser ablation (RLA) was used to cover this a-Si:H thin film by germanium NPs. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam (193 nm, 100 mJ/pulse) under SiH4 background atmosphere (0.5 Pa). As a target the elemental germanium was used. Reaction between ablated Ge and silane led to formation of Ge NPs covered by thin SiGe layer. Then the deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes was alternated and applied a few times. The Si:H thin films with integrated Ge NPs were characterized by microscopic, spectroscopic and diffraction techniques. I-V characteristics of final diode structures without and under illumination were measured as well as their electroluminescence behaviour.

Detailed record