Název: Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field
Autoři: Kubištová, Jana ; Zíková, Markéta ; Kuldová, Karla ; Pangrác, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Petříček, Otto ; Oswald, Jiří
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, Krkonoše (CZ), 2013-06-28 / 2013-07-02
Rok: 2013
Jazyk: eng
Abstrakt: In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepared by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage have a broad spectrum of applications in optoelectronics.
Klíčová slova: GaAsSb; InAs/GaAs; luminescence; quantum dot
Zdrojový dokument: Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, ISBN 978-80-01-05344-7

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0229898

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-170358


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference