|
| |
|
|
Charakterizace optických vlastností InAs nanodrátů
Hošková, Michaela ; Ligmajer, Filip (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na přípravu InAs nanodrátů a jejich následnou optickou charakterizaci. K přípravě nanodrátů je využita výhradně fyzikální depozice z plynné fáze pomocí metody selektivní epitaxe v aparatuře MBE. Jsou optimalizovány růstové podmínky pro tvorbu nanodrátů a jejich rozměry jsou charakterizovány rastrovacím elektronovým mikroskopem. S pomocí konfokální spektroskopie a spektroskopie ztrát energie elektronů je měřena optická odezva a studován vliv geometrie jednotlivých nanodrátů. Motivací je vývoj nové optické metody monitorující nanodráty přímo při růstu v aparatuře MBE.
|
|
|
Depozice GaN na wolframový substrát
Pikna, Štěpán ; Piastek, Jakub (oponent) ; Čalkovský, Vojtěch (vedoucí práce)
Tato experimentálně založená práce se zabývá depozicí nanokrystalů GaN na leptané wolframové hroty. Motivací bylo tyto GaN struktury deponovat na Schottkyho katody firmy ThermoFisher Scientific a změřit jejich emisivitu. Začátek práce je věnován rešerši studené emise z wolframu a GaN. V praktické části byla optimalizována výroba wolframových hrotů, kdy jsme došli k závěru, že vhodné hroty vznikají při teplotě 20 °C a hloubce ponoru 2,5 mm v roztoku NaOH. Dále byly na tyto hroty připraveny metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) galiové struktury, u kterých jsme zjistili lineární závislost na teplotě. Jako vhodná teplota substrátu pro depozici galia byla určena teplota 200 °C. Za této teploty byla provedena i nitridace. Depozice galia trvala 2 hodiny a následná nitridace 3 hodiny. Změřená emisivita GaN z povrchu mědi pokrytém grafenem vyšla v souladu s dříve provedenými experimenty.
|
|
|
Optická spektroskopie magnetických polovodičů využitelných pro spintronické aplikace
Saidl, Vít ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Mics, Zoltán (oponent)
V této práci se zabýváme optickými vlastnostmi nového antiferomagnetického polovodiče - LiMnAs. Tento polovodič na vzduchu velice snadno oxiduje, což významným způsobem komplikuje studium jeho vlastností pomocí optické spektroskopie. Pro odstranění tohoto problému jsme zkonstruovali optickou aparaturu, která nám umožňuje změřit spektra odrazivosti přímo v růstové komoře, kde je tento polovodič pomocí epitaxe z molekulárních svazků (MBE) připravován. Věrohodnost měření pomocí této aparatury byla ověřena měřením spekter odrazivosti známých polovodičů (GaAs a InAs). V závěrečné části této práce jsme provedli první měření odrazivosti LiMnAs přímo v růstové komoře MBE.
|
|
|
Kyslíkem modifikované grafenové struktury pro biosenzory
Mikerásek, Vojtěch ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o modifikaci CVD grafenu atomy kyslíku. Teoretická část se věnuje popisu struktury grafen oxidu a jeho fyzikálním vlastnostem. Dále jsou popsány metody výroby tohoto materiálu a jeho využití v biosenzorech. V praktické části je popsána příprava monovrstvého grafenu na křemíkové desce. Hlavní pozornost byla věnována oxidaci grafenu atomárním kyslíkem a jeho modifikaci v kyslíkové plazmě. Průběh oxidace byl měřen po jednotlivých časových intervalech pomocí XPS.
|
|
|
Depozice Ga nanostruktur na grafenové membrány
Severa, Jiří ; Mikulík, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových membrán pro depozici atomů galliametodou molekulární svazkové epitaxe. V první části jsou nejprve popsány vlastnostigrafenu a metody jeho výroby. Druhá část je zaměřena na grafenové membrány, jejichspecifické vlastnosti, aplikace a způsoby výroby. Třetí část práce popisuje teorii růstutenkých vrstev. Praktická část práce je zaměřena na přípravu grafenových membrán,která spočívala v překrytí mikrodutin v křemíkovém substrátu grafenovou vrstvou. ktomu byl použit mechanicky exfoliovaný a CVD grafen Na takové membrány bylo následnědeponováno gallium technikou molekulární svazkové epitaxe a in situ pozorována pomocírastrovací elektronové mikroskopie.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Depozice CaF2 ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Caesar, Radek ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje přípravě a analýze ultratenkých vrstev CaF2 (fluoridu vápenatého). CaF2 byl deponován napařováním v podmínkách UHV za teploty substrátu v rozsahu 20 °C až 400 °C. Depozice probíhala na Si(111) substrát s nativní vrstvou SiO2 a na substrát doplněný o CVD grafenovou vrstvu. Připravené ultratenké vrstvy byly analyzovány pomocí metod XPS, AFM a SEM. V rámci této práce byly rovněž navrhnuty čtyři různé nosiče vzorku pro účely depozice.
|
|
|
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Stuchlík, J. ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlikova, T.H. ; Ledinsky, M. ; Čermák, J. ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, R. ; Mortet, V. ; More-Chevalier, J. ; Ashcheulov, P. ; Purkrt, A. ; Remeš, Z.
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 degrees C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
|
|
|
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon
Stuchlík, Jiří ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlíková, The-Ha ; Ledinský, Martin ; Čermák, Jan ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, Radek ; Mortet, Vincent ; More Chevalier, Joris ; Ashcheulov, Petr ; Purkrt, Adam ; Remeš, Zdeněk
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 °C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
|
host ::
RSS.