|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
host ::
RSS.