Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 67 záznamů.  1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Application of oxygen atomic beams
Mikerásek, Vojtěch ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.
Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7
Šťastný, Jakub ; Horák, Michal (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem růstu 2D GaN nanokrystalů na substrát Si(111) 7x7. V teoretické části této práce jsou popsány vlastnosti 3D a 2D GaN, hlavní metody přípravy GaN i 2D GaN a využití GaN v průmyslu. Experimentální část se zabývá podrobným popisem metody nízkoteplotní kapkové epitaxe za asistence iontů, která byla využita pro provedení série depozic 2D GaN pod různými úhly dopadu iontového svazku na substrát Si(111) 7x7. Depozice byla provedena v komplexním UHV systému v laboratořích ÚFI VUT v Brně. Vytvořené nanokrystaly 2D GaN byly analyzovány pomocí SEM a AFM.
Optimalizace iontového zdroje se sedlovým polem
Zálešák, Marek ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Cílem mé bakalářské práce bylo provést rešeršní studii na téma iontových zdrojů a jejich aplikací. Dalším cílem bylo vytvořit modelové simulace iontového zdroje se sedlovým polem v programu EOD a následně se pokusit zdroj optimalizovat. Optimalizace spočívala ve dvou hlavních bodech. Zprovoznit iontový zdroj k prvním měření a navrhnout vychylovací soustavu iontového svazku.
Kyslíkem modifikované grafenové struktury pro biosenzory
Mikerásek, Vojtěch ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o modifikaci CVD grafenu atomy kyslíku. Teoretická část se věnuje popisu struktury grafen oxidu a jeho fyzikálním vlastnostem. Dále jsou popsány metody výroby tohoto materiálu a jeho využití v biosenzorech. V praktické části je popsána příprava monovrstvého grafenu na křemíkové desce. Hlavní pozornost byla věnována oxidaci grafenu atomárním kyslíkem a jeho modifikaci v kyslíkové plazmě. Průběh oxidace byl měřen po jednotlivých časových intervalech pomocí XPS.
Detekce UV záření pomocí Grafen/GaN struktur
Kostka, Marek ; Piastek, Jakub (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá výrobou a studiem UV senzoru založeného na strukturách galia nitridu na grafenovém substrátu. Senzor využívá vysokou pohyblivost nosičů náboje v grafenu a citlivost GaN nanokrystalů na UV záření. Tato kombinace se jeví jako vhodná pro oblast UV senzorů, protože využití schopností obou materiálů vede k vysoké citlivosti takto provedených senzorů. První část práce je věnována grafenu, nitridu galia a heterostruktuře grafen/GaN, jejich popisu a výrobě. Druhá část obsahuje proces výroby senzoru a popis jeho optických a elektrických vlastností při analýze metodou fotoluminiscence a transportních vlastností.
Depozice Ga nanostruktur na grafenové membrány
Severa, Jiří ; Mikulík, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových membrán pro depozici atomů galliametodou molekulární svazkové epitaxe. V první části jsou nejprve popsány vlastnostigrafenu a metody jeho výroby. Druhá část je zaměřena na grafenové membrány, jejichspecifické vlastnosti, aplikace a způsoby výroby. Třetí část práce popisuje teorii růstutenkých vrstev. Praktická část práce je zaměřena na přípravu grafenových membrán,která spočívala v překrytí mikrodutin v křemíkovém substrátu grafenovou vrstvou. ktomu byl použit mechanicky exfoliovaný a CVD grafen Na takové membrány bylo následnědeponováno gallium technikou molekulární svazkové epitaxe a in situ pozorována pomocírastrovací elektronové mikroskopie.
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Novák, Jakub ; Jarý, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností GaN nanokrystalů a Ga struktur na povrchu křemíkového a grafenového substrátu. V teoretické části této práce jsou popsány základní vlastnosti jak Ga/GaN a grafenu, tak také jejich použití či spojení obou struktur v různých zařízeních. Na několika aplikacích je také diskutována schopnost kovových nanočástic zesilovat nejen fotoluminiscenční vlastnosti díky interakci materiálu s povrchovými plazmony. Experimentální část práce se nejprve zabývá výrobou a charakterizací grafenu připraveného pomocí chemické depozice z plynné fáze. Růst Ga/GaN na obou typech použitého substrátu byl proveden v UHV aparatuře pomocí efúzní cely pro depozici Ga a iotově atomárního zdroje pro nitridaci. Vytvořené struktury byly charakterizovány pomocí různých metod (XPS, SEM, AFM, Ramanova spektroskopie či fotoluminiscence). Vytvořené nanokrystaly GaN byly v posledním kroku ještě pokryty ostrůvky Ga, pro studium fotoluminiscenčního zesílení.
Depozice CaF2 ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Caesar, Radek ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje přípravě a analýze ultratenkých vrstev CaF2 (fluoridu vápenatého). CaF2 byl deponován napařováním v podmínkách UHV za teploty substrátu v rozsahu 20 °C až 400 °C. Depozice probíhala na Si(111) substrát s nativní vrstvou SiO2 a na substrát doplněný o CVD grafenovou vrstvu. Připravené ultratenké vrstvy byly analyzovány pomocí metod XPS, AFM a SEM. V rámci této práce byly rovněž navrhnuty čtyři různé nosiče vzorku pro účely depozice.
Návrh manipulátoru pro TEM
Melichárek, Václav ; Doležel, Pavel (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tématem této diplomové práce je návrh manipulátoru vzorku pro TEM. V rámci tohoto tématu byl proveden návrh části manipulátoru vzorku sloužící k pohybu vzorkem ve směru osy đť‘Ą (tzv. x-posuv). V úvodní teoretické části práce je stručně rozebrána problematika transmisní elektronové mikroskopie se zřetelem na metody pozorování v TEMu a na způsoby přípravy a zakládání vzorku pro TEM. Teoretická část se dále věnuje konstrukci přesných mechanismů, zvláště s ohledem na vady jejich chodu a technologický aspekt jejich návrhu. V praktické části práce je proveden detailní rozbor návrhu x-posuvu. Je zde podrobně rozebrána kinematika a dynamika mechanismu, dále je zde popsána celková konstrukce mechanismu a podrobněji konstrukce některých jejich části.
Návrh mechanismu justáže Wehneltova válce elektronové trysky
Franc, Viktor ; Mach, Jindřich (oponent) ; Zlámal, Jakub (vedoucí práce)
Jednou z důležitých komponent termoemisní elektronové trysky je Wehneltův válec a mechanismus jeho justáže. Tato bakalářská práce se věnuje konstrukčnímu návrhu tohoto mechanismu. Dále jsou v práci popsány různé druhy elektronových trysek a principy jejich fungování.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 67 záznamů.   1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
20 MACH, Jan
15 MACH, Jiří
8 Mach, Jakub
20 Mach, Jan
1 Mach, Jaroslav
15 Mach, Jiří
2 Mach, Jonáš
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.