Název:
Nanostructured layer enhancing light extraction from GaN-based scintillator using MOVPE
Autoři:
Vaněk, Tomáš ; Hubáček, Tomáš ; Hájek, František ; Dominec, Filip ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Conference NANOCON 2020 /12./, Brno (CZ), 20201021
Rok:
2021
Jazyk:
eng
Abstrakt: Light extraction (LE) efficiency of GaN buffer layer was studied by angle-resolved photoluminescence. We measured enhancement of light extraction efficiency (LEE) up to 154% by introducing the SiNx layer atop the GaN buffer and subsequent GaN light extraction layer (LEL) overgrowth. Morphological properties of GaN.
Klíčová slova:
GaN; light extraction; MOVPE; scintillator; SiNx Číslo projektu: LO1603 (CEP) Poskytovatel projektu: GA MŠk Zdrojový dokument: Proceedings of the 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application, ISBN 978-80-87294-98-7, ISSN 2694-930X
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0319288