Název:
Study of InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE
Překlad názvu:
Studie InAs/GaAs kvantových teček vypěstovaných technologií LP-MOVPE
Autoři:
Hazdra, P. ; Atef, M. ; Komarnitsky, V. ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Conference NANO´07, Brno (CZ), 2007-10-08 / 2007-10-10
Rok:
2007
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] We show simulation study of electronic transition energy for InAs/GaAs quantum dots fabricated with LP-MOVPE. The simulation results were compared with experimental data obtained by AFM and photoluminescence.Studovali jsme výpočet elektronových energií InAs/GaAs kvantových teček, které byly připraveny pomocí nízkotlaké MOVPE technologie. Výsledky simulace byly porovnány s experimentálně získanými daty z AFM a fotoluminiscence.
Klíčová slova:
electronic states; GaAs; InAs; MOVPE; quantum dots; simulation Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP) Zdrojový dokument: NANO´07, ISBN 978-80-214-3460-8
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0158352