Original title:
Study of InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE
Translated title:
Studie InAs/GaAs kvantových teček vypěstovaných technologií LP-MOVPE
Authors:
Hazdra, P. ; Atef, M. ; Komarnitsky, V. ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard Document type: Papers Conference/Event: International Conference NANO´07, Brno (CZ), 2007-10-08 / 2007-10-10
Year:
2007
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] We show simulation study of electronic transition energy for InAs/GaAs quantum dots fabricated with LP-MOVPE. The simulation results were compared with experimental data obtained by AFM and photoluminescence.Studovali jsme výpočet elektronových energií InAs/GaAs kvantových teček, které byly připraveny pomocí nízkotlaké MOVPE technologie. Výsledky simulace byly porovnány s experimentálně získanými daty z AFM a fotoluminiscence.
Keywords:
electronic states; GaAs; InAs; MOVPE; quantum dots; simulation Project no.: CEZ:AV0Z10100521 (CEP) Host item entry: NANO´07, ISBN 978-80-214-3460-8
Institution: Institute of Physics AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0158352