Název: Properties of vertically stacked quantum dot structures
Překlad názvu: Vlastnosti vertikálně uspořádaných struktur kvantových teček
Autoři: Hospodková, Alice ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANO ´04 International Conference, Brno (CZ), 2004-10-13 / 2004-10-15
Rok: 2004
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
We have studied the overlap of electron wave functions of stacked QDs. We have found that for sample with the spacer thickness 15 nm the electron wave functions of QDs in stack are fully separated. We have found that for spacer thickness around 7 nm the electron wave functions of smaller QDs from deeper layers still overlap while the electron wave function of bigger QDs at top layers remain separated. Studovali jsme překryv vlnových funkcí vrstvených kvantových teček (QD). Zjistili jsme, že pro vzorek s oddělovací vrstvou tlustou 15 nm jsou elektronové vlnové funkce QD ve vrstvě plně oddělené. Zjistili jsme, že pro oddělovací vrstvu tlustou okolo 7 nm se elektronové vlnové funkce menších QD z hlubších vrstev stále překrývají, zatímco elektronové vlnové funkce větších QD ve vrchních vrstvách zůstávají oddělené.
Klíčová slova: GaAs; InAs; magnetophotoluminescence; quantum dot
Číslo projektu: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), GP202/02/D069 (CEP), GA202/03/0413 (CEP), KSK1010104 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA ČR, GA AV ČR
Zdrojový dokument: NANO ´04, ISBN 80-214-2793-0

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0116880

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32933


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference