Original title: Properties of vertically stacked quantum dot structures
Translated title: Vlastnosti vertikálně uspořádaných struktur kvantových teček
Authors: Hospodková, Alice ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří
Document type: Papers
Conference/Event: NANO ´04 International Conference, Brno (CZ), 2004-10-13 / 2004-10-15
Year: 2004
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
We have studied the overlap of electron wave functions of stacked QDs. We have found that for sample with the spacer thickness 15 nm the electron wave functions of QDs in stack are fully separated. We have found that for spacer thickness around 7 nm the electron wave functions of smaller QDs from deeper layers still overlap while the electron wave function of bigger QDs at top layers remain separated. Studovali jsme překryv vlnových funkcí vrstvených kvantových teček (QD). Zjistili jsme, že pro vzorek s oddělovací vrstvou tlustou 15 nm jsou elektronové vlnové funkce QD ve vrstvě plně oddělené. Zjistili jsme, že pro oddělovací vrstvu tlustou okolo 7 nm se elektronové vlnové funkce menších QD z hlubších vrstev stále překrývají, zatímco elektronové vlnové funkce větších QD ve vrchních vrstvách zůstávají oddělené.
Keywords: GaAs; InAs; magnetophotoluminescence; quantum dot
Project no.: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), GP202/02/D069 (CEP), GA202/03/0413 (CEP), KSK1010104 (CEP)
Funding provider: GA ČR, GA ČR, GA AV ČR
Host item entry: NANO ´04, ISBN 80-214-2793-0

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0116880

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32933


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Conference materials > Papers