Název: Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs
Autoři: Hazdra, P. ; Voves, J. ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Petříček, Otto ; Kuldová, Karla
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./, Praha (CZ), 2002-02-11 / 2002-02-13
Rok: 2002
Jazyk: eng
Abstrakt: The dependence of the electroluminescence spectra on the number of ë-InAs layers and on the distance of these ë-InAs layers was studied under pulse excitation in the wide range of current densities.
Klíčová slova: electroluminescence; GaAs; InAs; isovalent ë layers; semiconductor lasers
Číslo projektu: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), CEZ:MSM 212300014, GA102/99/0414 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0031822

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-21869


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference