Název:
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs
Autoři:
Hazdra, P. ;
Voves, J. ;
Oswald, Jiří ;
Hulicius, Eduard ;
Pangrác, Jiří ;
Melichar, Karel ;
Šimeček, Tomislav ;
Petříček, Otto ;
Kuldová, Karla
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./ , Praha (CZ), 2002-02-11 / 2002-02-13
Rok:
2002
Jazyk:
eng
Abstrakt: The dependence of the electroluminescence spectra on the number of ë-InAs layers and on the distance of these ë-InAs layers was studied under pulse excitation in the wide range of current densities.
Klíčová slova:
electroluminescence ;
GaAs ;
InAs ;
isovalent ë layers ;
semiconductor lasers
Číslo projektu: CEZ:AV0Z1010914 (
CEP ),
CEZ:MSM 212300014 ,
GA102/99/0414 (
CEP )
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(
web )
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0031822
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-21869
Záznam je zařazen do těchto sbírek: Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav Konferenční materiály > Příspěvky z konference