Název: Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence
Překlad názvu: Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence
Autoři: Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Hospodková, Alice ; Šimeček, Tomislav
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./, Brno (CZ), 2003-06-23 / 2003-06-25
Rok: 2003
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC. Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range (above 100řC).
Klíčová slova: electroluminescence; elevated temperature; GaAs; InAs; photoabsorption; polarisation; TE; thin strained quantum well; TM
Číslo projektu: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), CEZ:MSM 212300014, KSK1010104 (CEP), IAA1010318 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA AV ČR
Zdrojový dokument: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0009802

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19411


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference