Original title: Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence
Translated title: Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence
Authors: Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Hospodková, Alice ; Šimeček, Tomislav
Document type: Papers
Conference/Event: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./, Brno (CZ), 2003-06-23 / 2003-06-25
Year: 2003
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC. Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range (above 100řC).
Keywords: electroluminescence; elevated temperature; GaAs; InAs; photoabsorption; polarisation; TE; thin strained quantum well; TM
Project no.: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), CEZ:MSM 212300014, KSK1010104 (CEP), IAA1010318 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR, GA AV ČR
Host item entry: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0009802

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19411


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Conference materials > Papers