|
|
Generative Adversial Network for Artificial ECG Generation
Šagát, Martin ; Ronzhina, Marina (oponent) ; Hejč, Jakub (vedoucí práce)
The work deals with the generation of ECG signals using generative adversarial networks (GAN). It examines in detail the basics of artificial neural networks and the principles of their operation. It theoretically describes the use and operation and the most common types of failures of generative adversarial networks. In this work, a general procedure of signal preprocessing suitable for GAN training was derived, which was used to compile a database. In this work, a total of 3 different GAN models were designed and implemented. The results of the models were visually displayed and analyzed in detail. Finally, the work comments on the achieved results and suggests further research direction of methods dealing with the generation of ECG signals.
|
|
|
MOVPE GaN/AlGaN HEMT nano-structures
Hulicius, Eduard ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Dominec, Filip ; Humlíček, J. ; Pelant, Ivan ; Cibulka, Ondřej ; Herynková, Kateřina
GaN/AlGaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) attain better performance than their state-of-the-art full silicon-based counterparts do, offering higher power, higher frequency as well as higher temperature of operation and stability, although their voltage and current limits are somewhat lower than for the SiC-based HEMTs. GaN/AlGaN-based HEMTs are a potential choice for electric-powered vehicles, for which they are approved not only for their power parameters, but also for their good temperature stability, lifetime and reliability. It is important to optimize HEMT structures and their growth parameters to reach the optimum function for the real-world applications. HEMT structures were grown by MOVPE technology in AIXTRON apparatus on (111)-oriented single-surface polished Si substrates. Structural, optical and transport properties of the structures were measured by X-ray diffraction, optical reflectivity, time-resolved photoluminescence and micro-Raman spectroscopy.\n
|
|
|
Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi
Novák, Jakub ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací Ga struktur a GaN nanokrystalů. V teoretické části jsou představeny vlastnosti a také aplikace GaN. Dále jsou uvedeny některé substráty pro růst a také techniky používané pro výrobu těchto struktur. Je zmíněna také fotoluminiscence GaN. Experimentální část se zabývá přípravou jednak Ga struktur a GaN nanokrystalů, ale také spojením obou těchto struktur. Tyto vyrobené struktury byly analyzovány pomocí různých metod, jako je XPS, SEM či fotoluminiscence.
|
|
|
Deposition and characterization of GaN nanocrystals with a metal core
Čalkovský, Vojtěch ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
The thesis deals with preparation and characterization of GaN nanocrystals with a metal core. In the theoretical part of the thesis GaN with its properties and applications is introduced. Further, substrates for the growth and dierent mechanisms of the growth of GaN are discussed. Further, metal NPs are introduced and their optical proper- ties are discussed towards plasmon coupling and photoluminiscent enhancement of GaN structures with Ag NPs. The experimental part concerns with four step preparation process of GaN nanocrystals with Ag core. Firstly, Ag NPs are deposited on Si(111) substrate, secondly passivated by native oxide. Third step is Ga deposition and last post-nitridation. Each step was optimized and studied by various methods such as XPS, SEM, photoluminiscence and Raman spectroscopy.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur s kovovým jádrem
Čalkovský, Martin ; Jarý,, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou GaN nanokrystalů s kovovým jádrem. V teoretické části této práce je představen materiál GaN se svými vlastnostmi a aplikacemi. Dále jsou uvedeny některé metody přípravy GaN, přičemž metoda MBE je popsána podrobněji. Dále je popsána depozice kovových nanočástic z koloidního roztoku a nejnovější metody zesílení luminiscence GaN struktur. Experimentální část je rozdělena na tři části odpovídající postupu přípravy GaN krystalů s Ag jádrem. V prvním kroku jsou Ag nanočástice naneseny na Si(111) substrát. Ve druhém kroku je optimalizován proces depozice Ga a v posledním kroku je nadeponované Ga transformováno na GaN. Po depozici Ga byly vzorky analyzovány pomocí SEM/EDX a SAM/AES. Vlastnosti připravených GaN krystalů s Ag jádrem byly studovány metodou XPS, fotoluminiscenční spektroskopií a Ramanovou spektroskopií.
|
|
|
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
|
|
|
Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Fiala, Zbyněk ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů.
|
|
|
Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) a její aplikace pro výzkum povrchových procesů
Potoček, Michal ; Čech, Vladimír (oponent) ; Pavlík, Jaroslav (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) je obecná metoda pro povrchovou analýzu adsorbovaných molekul. Práce se v 1. kapitole zabývá teoretickými základy této metody a ukazuje princip desorpčního procesu ovlivněného podpovrchovou difuzí. Kapitola 2 se nejprve věnuje praktickému využití metody TDS při detekci povrchových molekul a určením vazebné energie. Experimenty byly zaměřeny na detekci povrchových adsorbantů a nečistot na povrchu desek Si. Druhá část této kapitoly se zabývá desorpcí atomů tenkých vrstev Ga a jejich podpovrchovou difuzi. Proces difuze Ga byl také pozorován hmotnostní spektrometrií sekundárních iontů (SIMS) a numericky simulován.
|
|
|
Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
|
|
|
Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu.
|
host ::
RSS.