Název: Průzkum trhu výkonových polovodičových součástek
Překlad názvu: Market survey of high power semiconductor devices
Autoři: Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2016
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [eng] [cze]
Hlavním tématem práce jsou moderní výkonové polovodičové součástky. Jsou diskutovány i rozvíjející se materiály s velkou šířkou zakázaného pasu a jejich elektrické vlastnosti. Práce je pak zaměřena na tyto moderní součástky, včetně jejich teorie, aplikace a dostupnosti na trhu. Dále práce předkládá tabulky jednotlivých zařízení, které jsou nabízeny evropskými předními výrobci polovodičů. The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
Klíčová slova: diode; GaN; IGBT; JFET; MOSFET; SiC; Thyristor; Wide-band gap materials; dioda; GaN; IGBT; JFET; Materiály s velkou šířkou zakázaného pásu; MOSFET; SiC; Tyristor

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/60567

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-242891


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce