Hulicius, Eduard - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Hulicius, Eduard

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Gladkov, Petar ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří We investigate the concept of epitaxial growth on porous substrates Both crystalographically oriented and current line oriented pore networks in InP and GaAs were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650 ºC and GaAs pores at 700-850ºC converted them into microcavities. The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films is demonstrated on InAs and GaInAs layers with a different composition grown on porous GaAs substrates Úplný záznam
	EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology. Úplný záznam
	Růst polovodičových heterostruktur metodou organokovové epitaxe z plynné fáze Hulicius, Eduard Přednáška se zaměřuje na vlastnosti, přípravu a in-situ charakterizaci polovodičových heterostruktur připravených pomocí technologie MOVPE. Úplný záznam
	Velké objekty v MOVPE strukturách s InAs/GaAs kvantovými tečkami Samokhin, Jevgen ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Vavra, I. ; Jurek, Karel ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Studovali jsme přítomnost velkých objektů ve vzorcích se samovolně uspořádanými kvantovými tečkami vypěstovanými technologií MOVPE. Vznik velkých objektů a velká koncentrace india uvnitř byla vysvětlena jako kombinovaný proces akumulace In atomů na povrchu a jejich následná povrchová migrace na dlouhé vzdálenosti. Úplný záznam
	In situ monitorování růstu MOVPE InAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami pomocí reflektanční anisotropické Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Pomocí reflektanční anisotropické spektroskopie jsme pozorovali a optimalizovali růst struktur s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček. Vlastnosti vzorků byly po růstu charakterizovány s využitím fotoluminiscence a AFM. Úplný záznam
	Studie InAs/GaAs kvantových teček vypěstovaných technologií LP-MOVPE Hazdra, P. ; Atef, M. ; Komarnitsky, V. ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard Studovali jsme výpočet elektronových energií InAs/GaAs kvantových teček, které byly připraveny pomocí nízkotlaké MOVPE technologie. Výsledky simulace byly porovnány s experimentálně získanými daty z AFM a fotoluminiscence. Úplný záznam
	Laterální protažení InAs/GaAs kvantových teček určené pomocí magnetofotoluminiscence Křápek, V. ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Humlíček, J. Zkoumali jsme izolovanou vrstvu InAs kvantových teček na GaAs substrátu připravenou technikou MOVPE pomocí magnetofotoluminiscence v poli do 24 T. Fitováním energiových posunů jsme určili poměr laterálních délek 1.5 – 1.7 a efektivní hmotnost 0.04 – 0.05. Úplný záznam
	Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence. Úplný záznam
	MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm. Úplný záznam
	Vlastnosti vertikálně uspořádaných struktur kvantových teček Hospodková, Alice ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří Studovali jsme překryv vlnových funkcí vrstvených kvantových teček (QD). Zjistili jsme, že pro vzorek s oddělovací vrstvou tlustou 15 nm jsou elektronové vlnové funkce QD ve vrstvě plně oddělené. Zjistili jsme, že pro oddělovací vrstvu tlustou okolo 7 nm se elektronové vlnové funkce menších QD z hlubších vrstev stále překrývají, zatímco elektronové vlnové funkce větších QD ve vrchních vrstvách zůstávají oddělené. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English