Název: Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures
Autoři: Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Gladkov, Petar ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2011. International Conference /3./, Brno (CZ), 2011-09-21 / 2011-09-23
Rok: 2011
Jazyk: eng
Abstrakt: We investigate the concept of epitaxial growth on porous substrates Both crystalographically oriented and current line oriented pore networks in InP and GaAs were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650 ºC and GaAs pores at 700-850ºC converted them into microcavities. The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films is demonstrated on InAs and GaInAs layers with a different composition grown on porous GaAs substrates
Klíčová slova: electrochemical etching of metals; heterotransitions; porous semiconductors
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP), CEZ:AV0Z10100521 (CEP), GAP108/10/0253 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2011, Conference Proceedings, 3 rd International Conference, ISBN 978-80-87294-27-7

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0216241

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-96331


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference