|
| |
|
|
Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny
Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
Je známo, že přidáním prvků vzácných zemin do růstové taveniny lze získat LPE vrstvy sloučenin AIIIBV vysoké čistoty. Každý z těchto prvků však vykazuje jedinečné chování. Nízké přídavky Tb, Dy, Tm a Pr vedou ke getraci mělkých donorů a růstu čistých vrstev vodivosti typu n. Při překročení určité koncentrace dochází ke změně vodivostního typu. Přídavek Tm na InP:Fe substrátech má za následek konverzi epitaxní vrstvy do semiizolačního stavu kvůli difuzi Fe zprostředkované vzácnou zeminou.
|
|
|
Závislost transportních vlastností Bi.sub.2./sub.Te.sub.3./sub. na jejich tloušťce
Zeipl, Radek ; Lošťák, P. ; Pavelka, Martin ; Žďánský, Karel ; Jelínek, Miroslav ; Walachová, Jarmila
U Bi.sub.2./sub.Te.sub.3./sub. vrstev, připravených laserovou ablací, jsou prezentovány transportní vlastnosti, jako Hallova pohyblivost částic a vodivost v závislosti na tloušťce vrstev při pokojové teplotě. Tento termoelektrický materiál je vhodný pro mnoho různých aplikací, jako např. chladiče, generátory elektrické energie a senzory.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
|
|
| |
|
| |
host ::
RSS.