Název: Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals
Překlad názvu: Příprava dopovaných a kodopovaných monokrystalů fosfidu inditého
Autoři: Pekárek, Ladislav ; Žďánský, Karel
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./, Lednice (CZ), 2004-08-31 / 2004-09-03
Rok: 2004
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
Indium phosphide crystals doped with various impurity atoms were grown by liquid encapsulation Czochralski method. The wafers of the grown crystals were characterized by resistivity an Hall measurements and their suitability for radiation detection was assessed. Krystaly fosfidu inditého byly vypěstovány metodou Czochralského s kapalným uzávěrem. Destičky z vypěstovaných krystalů byly charakterizovány měřením rezistivity a Hallova napětí a byla zhodnocena jejich vhodnost pro radiační detekci.
Klíčová slova: crystal growth; radiation detection; semiconductor doping
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), IBS2067354 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Development of Materials Science in Research and Education. Proceedings of the 14th Joint Seminar, ISBN 80-7345-032-1

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0013082

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19970


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference