Název: Characterisation of GaInAsP layers prepared by liguid-phase epitaxy using holmium doping
Autoři: Procházková, Olga ; Šrobár, Fedor ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Photonics'95, Prague (CZ), 1995-08-23 / 1995-08-25
Rok: 1995
Jazyk: eng
Edice: Annual Meeting Digest Series., svazek: 2B
Klíčová slova: semiconductor epitaxial layers; semiconductor materials; semiconductor technology
Číslo projektu: 102/93/0642
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Photonics'95

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0113056

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32239


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference