Název: Preparation and properties of GaInP.sub.2./sub./GaAs heterostructures
Překlad názvu: Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Autoři: Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./, Lednice (CZ), 2004-08-31 / 2004-09-03
Rok: 2004
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
Growth of the Ga.sub.x./sub.In.sub.1-x./sub.P/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800.sup.o./sup.C to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of the ternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested. Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
Klíčová slova: gallium arsenide; indium compounds; semiconductors
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), ME 610
Poskytovatel projektu: GA MŠk
Zdrojový dokument: Proceedings of the 14th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education", ISBN 80-7345-032-1

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0112053

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32110


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference