keywords:"Luminescence" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"Luminescence"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	AlSb/InAsSb/AlSb deep QWs for the two band high temperature superlinear luminescence Hulicius, Eduard ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Mikhailova, M. InAlAsSb/GaSb based hetero-nanostructures with deep quantum wells grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. Optical power and quantum efficiency of the LEDs based on the narrow bandgap semiconductor compounds (InGa)(AsSb) are limited by the nonradiative Auger recombination. Earlier we have proposed a method to increase the optical power in the bulk narrow bandgap and later in GaSb-based nanostructures with a deep QW by the effect of impact ionization on the QW with high band offset. Úplný záznam
	Porovnání organických scintilátorů Nikl, Martin Byly změřeny a porovnány optické, luminiscenční a scintilační charakteristiky vícero vzorků organických scintilátorů. Kvalita zdrojových materiálů pro jejich přípravu měla vliv na jejich scintilační účinnost, méně pak na jejich časové charakteristiky. Byly studovány také procesy přenosu energie. Úplný záznam
	Luminescence of quantum dot heterostructures in applied electric field Kubištová, Jana ; Zíková, Markéta ; Kuldová, Karla ; Pangrác, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Petříček, Otto ; Oswald, Jiří In this work, photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) of samples with InAs/GaAs quantum dots were measured with electric voltage or current applied on the structure. The EL structures emitting at 1300 nm were prepared by using n-type substrate. By applying the electric voltage in reverse bias on the sample, the evinced PL may be switched off - it decreases rapidly with the applied voltage and is negligible at about 10 V. Such structures which PL intensity is tunable by applied voltage have a broad spectrum of applications in optoelectronics. Úplný záznam
	Optické vlastnosti nanočástic Voráčová, Ivona Přehled fyzikálně-chemických vlastností, přípravy a použití nanočástic vykazujících luminescenci. Úplný záznam
	Luminiscence nanočástic - kvantové tečky Voráčová, Ivona Shrnutí materiálů, fyzikálně-chemických vlastností, přípravy a aplikací kvantových teček. Úplný záznam
	Využití nanočástic ve fluorescenční mikroskopii a ramanově spektrometrii Přikryl, Jan ; Svobodová, Ivona ; Hezinová, Věra ; Lišková, Marcela ; Maděránková, D. ; Klepárník, Karel ; Foret, František Příspěvek je věnován využití kvantových teček jako perspektivních luminiscenčních značek ve fluorescenční mikroskopii (epifokální a TIR fluorescenční mikroskopie) a dále využití stříbrných nanočástic v povrchem zesílené Ramanově spektrometrii. Úplný záznam
	Potenciál kvantových teček při detekci jediné molekuly v buňkách a organelách Přikryl, Jan ; Klepárník, Karel ; Svobodová, Ivona ; Hezinová, Věra ; Lišková, Marcela ; Preisler, J. ; Foret, František Příspěvek je věnován využití kvantových teček pro značení buněk ve fluorescenční mikroskopii. Zejména je srovnána excitace fluorescence evanescentní vlnou (vznikající při totálním interním odrazu) s konvenčním epifluorescenčním uspořádáním. Úplný záznam
	Luminescence in organic silicons prepared from organic precursors in plasma discharges Horváth, P. ; Schauer, F. ; Kuřitka, I. ; Salyk, O. ; Weiter, M. ; Dokoupil, N. ; Nešpůrek, Stanislav ; Fidler, V. Photoluminescence of plasma prepared the poly[methyl(phenyl)silanediyl] - during the change from linear 1D Si chain to amorphous 3D Si network was studied. The excitonic band with maximum at 353 nm in 1D Si undergoes a blue shift and broadening on introducing networking defects. With the gradual transition from 1D to 3D structure the redistribution of oscillator intensity along the absorption edge was observed. Úplný záznam
	Optical Properties of (GeS2)80-x(Ga2S3):xEr2S3 glasses Ivanova, Z. G. ; Černošková, Eva ; Černošek, Z. ; Vassilev, V. S. Infrared transmisson and photoluminescence of Er-doped (GeS2)80-x(GaS3) glassy host have beeninvestigated. The influence of Er by introduction of Er2S3 (x=0.3, 0.6 and 0.9 mol%) on these properties has been speified. Úplný záznam
	Luminiscenční vlastnosti Er:YAG a Er:YAP tenkých vrstev připravených pulsní laserovou ablací Pavelka, Martin ; Jelínek, Miroslav ; Lančok, Ján ; Oswald, Jiří Luminiscenční vlastnosti Er:YAG a Er:YAP tenkých vrstev byli studovány s ohledem na přípravu planárních vlnovodových laserů Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English