|
|
Depozice CaF2 ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Caesar, Radek ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje přípravě a analýze ultratenkých vrstev CaF2 (fluoridu vápenatého). CaF2 byl deponován napařováním v podmínkách UHV za teploty substrátu v rozsahu 20 °C až 400 °C. Depozice probíhala na Si(111) substrát s nativní vrstvou SiO2 a na substrát doplněný o CVD grafenovou vrstvu. Připravené ultratenké vrstvy byly analyzovány pomocí metod XPS, AFM a SEM. V rámci této práce byly rovněž navrhnuty čtyři různé nosiče vzorku pro účely depozice.
|
|
|
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Stuchlík, J. ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlikova, T.H. ; Ledinsky, M. ; Čermák, J. ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, R. ; Mortet, V. ; More-Chevalier, J. ; Ashcheulov, P. ; Purkrt, A. ; Remeš, Z.
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 degrees C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
|
|
|
The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon
Stuchlík, Jiří ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlíková, The-Ha ; Ledinský, Martin ; Čermák, Jan ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, Radek ; Mortet, Vincent ; More Chevalier, Joris ; Ashcheulov, Petr ; Purkrt, Adam ; Remeš, Zdeněk
We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 °C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
|
|
|
Studium anizotropní magnetorezistence magnetického polovodiče GaMnAs
Kašpar, Zdeněk ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Svoboda, Štěpán (oponent)
Práce pojednává o měření anizotropní magnetorezistence (AMR) na sérii GaMnAs vzorků připravených metodou epitaxe z molekulových svazků (MBE). Měření probíhala při rotaci magnetického pole v rovině vzorku (in plane) ve vektorovém magnetu a kryostatu, umožňujícím rozsah pracovních teplot od 1.5 do 300 Kelvinů. Z dat byla vyhodnocena závislost anizotropních transportních parametrů na koncentraci Mn v materiálu. Dále byla změřena teplotní závislost těchto parametrů. Identifikací artefaktů v naměřeném signálu došlo k odhalení nezanedbatelného vlivu hystereze použitých magnetů. Na závěr bylo provedeno měření v malých magnetických polích pomocí kterého je možné studovat magnetickou anizotropii vzorků. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Optická spektroskopie magnetických polovodičů využitelných pro spintronické aplikace
Saidl, Vít ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Mics, Zoltán (oponent)
V této práci se zabýváme optickými vlastnostmi nového antiferomagnetického polovodiče - LiMnAs. Tento polovodič na vzduchu velice snadno oxiduje, což významným způsobem komplikuje studium jeho vlastností pomocí optické spektroskopie. Pro odstranění tohoto problému jsme zkonstruovali optickou aparaturu, která nám umožňuje změřit spektra odrazivosti přímo v růstové komoře, kde je tento polovodič pomocí epitaxe z molekulárních svazků (MBE) připravován. Věrohodnost měření pomocí této aparatury byla ověřena měřením spekter odrazivosti známých polovodičů (GaAs a InAs). V závěrečné části této práce jsme provedli první měření odrazivosti LiMnAs přímo v růstové komoře MBE.
|
|
|
Organické materiály pro molekulární kvantové bity: depozice a analýza chemického složení a morfologie vrstev
Komora, Mojmír ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá experimentálnou prípravou a analýzou ultratenkých vrstiev železných phtalocyaninov na povrchu kremíkových substrátov s cieľom popísania parametrov vrstiev pri rôznych podmienkách depozície, ako depozičný čas alebo teplota substrátu. Príprava vzoriek prebiehala pomocou metódy MBE vo vakouvej aparatúre za podmienok ultravysokého vákua. Ako analytické metódy na popis chemického zloženia a morfológie pripravených vrstiev boli zvolené metódy röntgenovej fotoelektrónovej spektroskopie, rastrovacej elektrónovej mikroskopie a mikroskopie atomárnych síl.
|
|
|
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
|
|
|
Růst epitaxních kobaltových (CoSi2) ostrůvků pomocí epitaxe řízené oxidovou vrstvou
Stará, Veronika ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem přípravy a růstu kobaltových tenkých vrstev. Jako substrát byla použita křemíková deska s orientací (111) pokrytá tenkou vrstvou nativního oxidu SiO2. Pro růst kobaltové vrstvy byla využita metoda epitaxe řízené oxidovou vrstvou. Jako zdroj kobaltových atomů byla využita efuzní cela. Byla zkoumána závislost složení a morfologie substrátu na teplotě žíhání. Dalším bodem výzkumu bylo určení závislosti výsledného vzhledu ostrůvků na množství deponovaného materiálu a orientaci substrátu. Připravené struktury byly zkoumány využitím rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS), mikroskopie atomárních sil (AFM), rastrovací elektronové mikroskopie (SEM). Abychom změřili tloušťku podpovrchových ostrůvků, byly připravené vzorky leptané v bufrované kyselině fluorovodíkové a následně analyzované pomocí zmíněných metod.
|
|
|
Depozice Al a AlN ultratenkých vrstev na křemíkový a grafenový substrát
Řihák, Radek ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou a analýzou ultratenkých vrstev hliníku a nitridu hliníku. Vrstvy byly připraveny depozicí z efuzních cel navržených v rámci předchozí bakalářské práce autora. Jejich konstrukce a testování je v práci rovněž zahrnuta. Experimentálně byly zkoumány vlastnosti hliníkových vrstev na nativním oxidu křemíku, křemíku a grafenu. Rovněž je zde popsána příprava nitridu hliníku pomocí dusíkového iontového zdroje.
|
|
|
Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
|
host ::
RSS.