|
|
Light ceramic materials for ballistic protection
Greguš, Peter ; Pouchlý, Václav (oponent) ; Salamon, David (vedoucí práce)
This thesis gives a comprehensive characterization of lightweight non-oxide ceramic materials for ballistic applications, an overview of production technologies and processing of boron carbide B4C and its ceramic-based composites. A framework for evaluating the ballistic resistance of the material based on mechanical properties is shown there. It can be used in experiments without normalized equipment. The experiments including B4C + Si, B4C + Ti composites, and application of Spark plasma sintering (SPS) were designed according to outputs from the theoretical part. The volume fractions of Si, Ti dopants were optimized based on ongoing chemical reactions during sintering. The obtained samples were subjects of mechanical testing which results were compared to identify the ideal ratio of matrix and reinforcement. As the best suited material for ballistic protection, B4C + 1,0 obj. % reaches these values of parameters; hardness = 3502 ± 122 HV1; fracture toughness KIC = 2,97 ± 0,03 MPam^0,5.
|
|
|
Electroerosion wire cutting of technical ceramics
Habovštiaková, Mária ; Mouralová, Kateřina (oponent) ; Osička, Karel (vedoucí práce)
The presented diploma thesis deals with the issue of wire electrical discharge machining of SiSiC ceramics. The first part explains the principles of electrical discharge machining, describes the WEDM technology and presents the properties of the advanced ceramics. The second part consists of a detailed analysis of the cutting process of eighteen samples obtained with systematically changing process parameters. Based on the obtained results from EDX analysis, SEM electron microscopy and topography there was performed an analysis of the influence of process parameters on the cutting speed, surface roughness, kerf width and number of wire breaks with usage of the selected brass cutting wire. From the evaluated results it was possible to select a combination of parameters that ensured a stable machining process.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Sýkora, Petr ; Kunc, Jan (vedoucí práce) ; Čechal, Jan (oponent)
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny metody přípravy se zaměřením na epitaxní růst a vliv vodíku na samotný proces. Dále jsou představeny různé způsoby měření vzorku grafenu a podrobněji rozebrány tři z nich - Ramanova spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. Samotný experiment se zaměřuje na to, jaký vliv má atmosféra složená z argonu a vodíku na růst grafenu. 1
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hazdra, Pavel (oponent)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Návrh měniče s použitím polovodičů na bázi SiC
Kharchenko, Vadym ; Procházka, Petr (oponent) ; Kuzdas, Jan (vedoucí práce)
Tato práce navazuje na semestrální projekt 2. ze zimního semestru letošního akademického roku. Cílem této diplomové práce je návrh měniče s použitím polovodičových součástek na bázi technologie SiC. Tento měnič je použit při konstrukci rychlonabíječky pro elektromobil. Při navrhování tohoto měniče je nutné vycházet z požadavku pro dodržení napěťové bezpečnosti. Je zde popsáno dimenzování výkonových součástek použitých při konstrukci tohoto zařízení, stanoveny jejích ztráty a určena celková účinnost měniče. Dále je zde navržen matematický model vysokofrekvenčního transformátoru a provedena jeho simulace v programu MATLAB-Simulink.
|
|
| |
|
|
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
|
|
|
Testování svodičů přepětí
Jeřábek, Lukáš ; Paar, Martin (oponent) ; Krbal, Michal (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se věnuje svodičům přepětí z oxidů kovů. Po historickém a teoretickém úvodu, který vysvětluje jejich princip a popisuje jejich charakteristické vlastnosti, následuje rozebrání normy IEC 60099-4 a testování podle této normy se zaměřením na typové zkoušky. Kapitola je také doplněna o přehled nedostatků normy a její pravděpodobný budoucí vývoj. Práce je zakončena průzkumem trhu, recenzí největších producentů a srovnáním jejich produktů.
|
|
|
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
|
host ::
RSS.