Název: Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Překlad názvu: Role of hydrogen during growth of epitaxial graphene on SiC
Autoři: Sýkora, Petr ; Kunc, Jan (vedoucí práce) ; Čechal, Jan (oponent)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2019
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny metody přípravy se zaměřením na epitaxní růst a vliv vodíku na samotný proces. Dále jsou představeny různé způsoby měření vzorku grafenu a podrobněji rozebrány tři z nich - Ramanova spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. Samotný experiment se zaměřuje na to, jaký vliv má atmosféra složená z argonu a vodíku na růst grafenu. 1 This work is focused on preparation of graphene by epitaxial growth on silicon face of silicon carbide. In the introduction, the interesting properties of graphene are briefly described, and its possible applications are mentioned. Subsequently, the methods of preparation are discussed with an emphasis on epitaxial growth and the role of hydrogen on the process itself. Further, the possible ways of measuring graphene samples are explained and three of them are analyzed in more detail - Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and Hall effect measurement. The experiment itself is focused on the effect of argon-hydrogen atmosphere on the growth of graphene. 1
Klíčová slova: epitaxní grafén; SiC; vodík; epitaxial graphene; hydrogen; SiC

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/109503

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-404231


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce