Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 51 záznamů.  předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Optimalizace procesu strojního pájení vlnou
Procházka, Martin ; Brno, Martin Štěpánek HONEYWELL (oponent) ; Starý, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá procesem strojního pájení vlnou a jeho optimalizací. Seznamuje nás s pájením vlnou a popisuje jeho dílčí části. Dále je zde popsáno rozdělení tavidel a jejich vlastnosti. V praktické části je popsáno zkoumání defektů na DPS a analýza možných příčin defektů, měření hmotnosti nanášeného tavidla a měření teplotního profilu.
Reballing BGA pouzder na zařízení PACE TF2700
Roháček, Peter ; Špinka, Jiří (oponent) ; Starý, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práca je zameraná na reballing BGA (Ball Grid Array) puzdier pomocou zariadenia PACE TF 2700. Popisuje všeobecné druhy BGA puzdier, ich defekty, dôležitosť teplotného managementu až po techniky spájkovania, kde sa hovorí aj o význame spájok a tavidiel pre spoj. Práca informuje o najčastejších metódach reballingu, správnu manipuláciu so súčiastkami a momentálnu situáciu s BGA matricami na trhu. V krátkosti popisuje obsluhu zariadenia PACE TF 2700, ktoré v sebe združuje konvekčný a IR princíp ohrievania súčiastky. Záoberá sa výrobou prípravku, dummy puzdier BGA, testovacích dosiek, tvorbou teplotného profilu, porovnávaním a skúmaním defektov a ich príčin, ktoré mali značný vplyv na výsledky. Dosiahnuté výsledky by slúžili pre porovnanie výsledkov v budúcich laboratórnych cvičeniach alebo ako námet pre ďalšie práce.
Microdefects in Czochralski Silicon
Válek, Lukáš ; Fejfar, Antonín (oponent) ; Mikulík, Petr (oponent) ; Spousta, Jiří (vedoucí práce)
The doctoral thesis deals with analyses of defects in single crystals of Czochralski silicon doped with boron. Mechanisms of formation of circular patterns of oxidation induced stacking faults are studied. The main goal of the work is to explain the mechanisms of formation of the observed defect patterns and to develop methods for control of this phenomenon. Mechanisms of defect formation in silicon are analyzed and the material is experimentally studied in order to explain relations between formation of defects of various kinds and to link these processes to parameters of the crystal and its growth. A qualitative model capturing all these relations is built and utilized to develop an optimized crystal growth process for suppression of excessive formation of the oxidation induced stacking faults. Novel methods are developed and implemented to support effective analyses of crystal defects. This doctoral thesis was written with the support of ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
Laminace nízkoteplotní keramiky
Hudeček, Ondřej ; Klíma, Martin (oponent) ; Kosina, Petr (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá optimalizací procesu laminace nízkoteplotní keramiky, která ovlivňuje výslednou kvalitu 3D struktur (např. kanálky, dutiny, membrány). Práce hodnotí vliv laminačních parametrů (tlak, teplota, čas) na vznik defektů ve struktuře, které byly vhodnými metodami detekovány. V poslední části práce byl navrhnut a simulován systém vodního chlazení s využitím technologie LTCC.
Přípravky a zařízení pro ohýbání trubek
Kašpárek, Jan ; Štroner, Marek (oponent) ; Peterková, Eva (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na vytvoření všeobecného přehledu používaných přípravků a zařízení pro ohýbání trubek. Na základě literární studie byl dále vytvořen přehled základních metod používaných pro ohyb trubek. Provedením průzkumu výrobních programů výrobců strojů pro ohýbání trubek byly popsány jednotlivé principy metod, které jsou doplněny příslušnou obrázkovou dokumentací. Ke každé metodě bylo uvedeno několik příkladů výrobců zařízení. Přiložená obrázková dokumentace názorně ukazuje konstrukci jednotlivých strojů a použité přípravky.
Analýza grafenových vrstev připravených metodou CVD pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů
Bábík, Pavel ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Průša, Stanislav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na analýzu vzorků grafenu rozptylem nízkoenergiových iontů (LEIS). Výroba grafenových vrstev byla prováděna metodou chemické depozice z plynné fáze (CVD) na Ústavu fyzikálního inženýrství. Analýza vzorků probíhala ve Středoevropském technologickém institutu (CEITEC) na přístroji Qtac 100. Cílem této bakalářské práce byla optimalizace technologie výroby za účelem snížení kontaminací obsažených v grafenové vrstvě.
Analýza závad na DPS pomocí X-RAY
Mlýnek, Martin ; Vala, Radek (oponent) ; Řihák, Pavel (vedoucí práce)
Diplomová práce je zaměřena na BGA (Ball Grid Array) pouzdra a detekci chyb vzniklých při jejich opravách pomocí rentgenového záření. Popisuje obecně BGA pouzdra podle druhu nosného substrátu, techniky připojování čipů, přes montáž samotných pouzder až po proces opravy desek plošných spojů (dále jen DPS). Práce shrnuje popis defektů, které vznikají procesem opravy. V práci je popsán princip rentgenového záření, jako metoda analýzy defektů pájených spojů. Metoda X – PLANE slouží k detekci vnitřních struktur BGA pouzder a byla potvrzena metalografickým výbrusem a rekonstrukčním softwarem. Dále následuje popis automatického a manuálního měření dutin.
Určení příčin ztráty kapacity kondenzátorů
Fabiánek, Marcel ; Špinka, Jiří (oponent) ; Starý, Jiří (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou vzniku defektu na vývodových kondenzátorech. V první části dochází k seznámení s postupem strojního pájení vlnou a jejími dílčími kroky. Následuje výčet a popis možných defektů vzniklých touto příčinou. Zdrojů potenciálních příčin ztráty kapacity je více a je jim věnována samostatná kapitola. V poslední části je proveden návrh testování jednotlivých potenciálních příčin sloužící k odhalení kořenových příčin vzniku defektu a dále je popsáno jejich praktické řešení.
Study of hydrogen interaction with defects in thin metallic films
Hruška, Petr ; Čížek, Jakub (vedoucí práce) ; Krsjak, Vladimír (oponent) ; Mathis, Kristián (oponent)
Tenké kovové vrstvy představují zajímavé materiály pro potenciální ukládání vodíku a optické senzory citlivé na vodík. Tenké vrstvy s různou mik- rostrukturou od nanokrystalické po epitaxní mohou být poměrně snadno připra- veny pouhou změnou depozičních parametrů. Depozice multivrstev umožňuje pří- pravu tenkých vrstev s libovolným složením. Defektní struktura hraje důležitou roli při absorpci vodíku. Atomy vodíku se- gregované v defektech s otevřeným objemem snižují jejich formační energii, což vede ke zvýšení koncentrace vodíkem indukovaných defektů v materiálu. Difuze vodíku podél dislokací a hranic zrn navíc usnadňuje absorpci vodíku v krystalové mříži. Tenké vrstvy upnuté na tuhý substrát vykazují anizotropní objemovou ex- panzi během dopování vodíkem. Důsledkem je vytvoření velkých pnutí ve vrstvě, které mohou vyústit v odtržení vrstvy od substrátu. V předkládané práci byla studována absorpce vodíku v Gd a Pd vrstvách a Pd- Mg multivrstvách. Vývoj defektů ve vodíkem dopovaných vrstvách byl zkoumán pomocí metody pozitronové anihilační spektroskopie s proměnnou energií do- plněné difrakcí rentgenového záření, mikroskopií atomárních sil a měřením optické transmitance. Jako...
Investigation of defects in quasicrystals
Vlček, Marián ; Čížek, Jakub (vedoucí práce)
Název práce: Studium defekt· v kvazikrystalech Autor: Marián Vlček Katedra: Katedra fyziky nízkých teplot Vedoucí disertační práce: doc. Mgr. Jakub ížek, Ph.D., Katedra fyziky nízkých teplot Abstrakt: V predloženej práci boli pomocou spektroskopie doby života poz- itrónov a koincidenčnej spektroskopie Dopplerovského rozšírenia anihilačného píku študované zliatiny WE43 s prídavkom zinku a ternárne zliatiny Mg-Zn-Y. V týchto zliatinách bola nedávno zistená prítomnos' ikosahedrálnej fázy Mg3Zn6Y1 s kvázikryštalickou štruktúrou, čo pritiahlo pozornos' výskumníkov. Spektroskopia doby života pozitrónov preukázala prítomnos' unikátnych vakanciám podobných defektov na rozhraní ikosahedrálnej fázy a horčíkovej matrice, ktoré sú charakter- istické pre horčíkové zliatiny obsahujúce ikosahedrálnu fázu. Tepelné spracovanie skúmaných zliatin vedie k významným zmenám morfológie hraničných fáz. Ke¤že vakanciám podobné defekty spojené s ikosahedrálnou fázou sa vyskytujú na jej rozhraní s horčíkovou matricou, zmeny v morfológii ikosahedrálnej fázy vedú k výrazným zmenám koncentrácie týchto defektov. "alej boli skúmané vzorky pripravené uhlovým pretláčaním kanálom rovnakého prierezu. Typy defektov prítomné v týchto zliatinách a ich teplotná stabilita bola určená pomocou spektroskopie doby života pozitrónov a merania tvrdosti...

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 51 záznamů.   předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.