Název:
Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE
Překlad názvu:
Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE
Autoři:
Hulicius, Eduard ; Pacherová, Oliva ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav ; Melichar, Karel ; Petříček, Otto ; Chráska, T. ; Holý, V. ; Vávra, I. ; Ouattara, L. Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: NANO ´04 International Conference, Brno (CZ), 2004-10-13 / 2004-10-15
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] We have found that the abruptness and symmetry on monoatomic scale is achievable with MOVPE technique as well. We are able to find only the periodicity in these structures while atomic resolution pictures give reliable thickness values.Zjistili jsme, že strmost a symetrie na atomární úrovni je také dosažitelná s technologií MOVPE. V těchto strukturách jsme schopni nalézt pouze periodicitu, zatímco obrázky s rozlišením na atomární úrovni dávají spolehlivé údaje o tlouštce.
Klíčová slova:
GaAs; InAs; quantum well; semiconductor laser; TEM; X-ray diffraction; XSTM Číslo projektu: CEZ:AV0Z1010914 (CEP), GP202/02/D069 (CEP), GA202/03/0413 (CEP), IAA1010318 (CEP), KSK1010104 (CEP) Poskytovatel projektu: GA ČR, GA ČR, GA AV ČR, GA AV ČR Zdrojový dokument: NANO ´04, ISBN 80-214-2793-0
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0116879