Název:
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
Překlad názvu:
Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách
Autoři:
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Workshop 2003, Praha (CZ), 2003-02-10 / 2003-02-12
Rok:
2003
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperaturesElektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Klíčová slova:
electroluminescence; elevated temperature; GaAs; InAs; photoabsorption; quantum well Číslo projektu: CEZ:MSM 212300014, IAA1010318 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR Zdrojový dokument: Workshop 2003
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0007551