Original title: Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
Translated title: Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách
Authors: Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel
Document type: Papers
Conference/Event: Workshop 2003, Praha (CZ), 2003-02-10 / 2003-02-12
Year: 2003
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperatures Elektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Keywords: electroluminescence; elevated temperature; GaAs; InAs; photoabsorption; quantum well
Project no.: CEZ:MSM 212300014, IAA1010318 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: Workshop 2003

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0007551

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19265


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Conference materials > Papers