Název: In situ monitoring of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dot structures by reflectance anisotropy spectroscopy
Překlad názvu: In situ monitorování růstu MOVPE InAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami pomocí reflektanční anisotropické
Autoři: Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Conference NANO´07, Brno (CZ), 2007-10-08 / 2007-10-10
Rok: 2007
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) has been used for the real-time observation and optimization of single and double InAs/GaAs quantum dot layer structure growth. The properties of samples were ex situ characterized by photoluminescence and AFM. Pomocí reflektanční anisotropické spektroskopie jsme pozorovali a optimalizovali růst struktur s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček. Vlastnosti vzorků byly po růstu charakterizovány s využitím fotoluminiscence a AFM.
Klíčová slova: GaAs; InAs; MOVPE; quantum dots; RAS
Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP)
Zdrojový dokument: NANO´07, ISBN 978-80-214-3460-8

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0158353

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-38515


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference