Název: Laterální protažení InAs/GaAs kvantových teček určené pomocí magnetofotoluminiscence
Překlad názvu: Lateral elongation of InAs/GaAs quantum dots studied by magnetophotoluminescence
Autoři: Křápek, V. ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Humlíček, J.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./, Brno (CZ), 2006-06-23 / 2006-06-28
Rok: 2006
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Zkoumali jsme izolovanou vrstvu InAs kvantových teček na GaAs substrátu připravenou technikou MOVPE pomocí magnetofotoluminiscence v poli do 24 T. Fitováním energiových posunů jsme určili poměr laterálních délek 1.5 – 1.7 a efektivní hmotnost 0.04 – 0.05. We have investigated single layer InAs QDs on GaAs substrate grown by MOVPE by means of magnetophotoluminescence up to 24 T. Fitting the field-dependence of band positions, we have found the ratio of lateral sizes within 1.5 –1.7, and the effective mass of 0.04 – 0.05.
Klíčová slova: GaAs; InAs; magnetophotoluminescence; quantum dot
Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), KJB101630601 (CEP), GA202/06/0718 (CEP), GA202/05/0242 (CEP), LC510 (CEP), LC06040 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA ČR, GA ČR, GA MŠk, GA MŠk
Zdrojový dokument: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0136931

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-35803


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference