Název: Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře
Překlad názvu: Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour
Autoři: Pikna, Peter ; Fejfar, Antonín
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Czech Photovoltaic Conference /7./, Brno (CZ), 2012-05-03 / 2012-05-04
Rok: 2012
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou. Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed.
Klíčová slova: grain boundary; polycrystalline silicon; solar cell; Suns-Voc; thin film; water vapour
Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), 240826
Zdrojový dokument: Proceedings of the 7th Czech Photovoltaic Conference, ISBN 978-80-260-2232-9

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0219891

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-151703


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference