Original title: Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře
Translated title: Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour
Authors: Pikna, Peter ; Fejfar, Antonín
Document type: Papers
Conference/Event: Czech Photovoltaic Conference /7./, Brno (CZ), 2012-05-03 / 2012-05-04
Year: 2012
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou. Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed.
Keywords: grain boundary; polycrystalline silicon; solar cell; Suns-Voc; thin film; water vapour
Project no.: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), 240826
Host item entry: Proceedings of the 7th Czech Photovoltaic Conference, ISBN 978-80-260-2232-9

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0219891

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-151703


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Conference materials > Papers