|
Simulace kvantových celulárních automatů
Michálik, Juraj ; Bidlo, Michal (oponent) ; Sekanina, Lukáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce popisuje vznik a účel kvantových celulárních automatů (QCA), jejich funkci a fyzikální zhotovení. Popisuje také kvantově celulární buňku a zhotovení jednoduchých obvodů pomocí těchto buněk. Práce obsahuje přehled použitých simulátorů, detailně popisuje simulátor QCAD a příklady odsimulovaných obvodů. QCA jsou analyzovány z pohledu chyb při výrobě, složitosti fyzikálního zhotovení a významu pro moderní elektroniku. Vytvoření základu pro studijní materiál a tvorba příkladů pro základní pochopení principu činnosti kvantových celulárních automatů je její nedílnou součástí.
|
|
Bezkontaktní měření teploty pomocí luminiscenčních materiálů
Jedlička, Jindřich ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Ligmajer, Filip (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá bezkontaktním měřením teploty pomocí luminiscenčních materiálů. V teoretické části práce byly na základě rešerše literatury vybrány luminiscenční materiály s ohledem na citlivost a pracovní rozsah teplot. V experimentální části práce byla změřena fotoluminiscence kvantových teček CdSe/ZnS a GaAs pro různé teploty a ze získaných hodnot byla určena relativní změna parametrů luminiscence jako poloha emisního píku, intenzita, poměr intenzit dvou píků a doba života luminiscence v souladu s očekáváním dle literatury. Dosažení vysokého prostorového rozlišení by bylo umožněno měřením katodoluminiscence, jejíž luminiscenční spektra mohou být získána s řádově vyšším prostorovým rozlišením. Tato měření a vliv elektronového svazku na kvalitu luminiscence vybraných materiálů bude předmětem dalšího experimentálního studia.
|
|
Quantum dot luminescent probe for Caspase 3/7 imaging inside cells
Procházková, Markéta ; Klepárník, Karel
Two step synthesis of luminescent probe based on ligand-exchange in the first step and the specific reaction of amino group in the second step was optimized. The luminescence properties of the final product were checked by time course of\nactive recombinant caspase protein reaction under the model conditions in fluorimeter. The novel luminescent probe enables long-time imaging of active caspases in living cells or tissues.
|
| |
|
Bezkontaktní měření teploty pomocí luminiscenčních materiálů
Jedlička, Jindřich ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Ligmajer, Filip (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá bezkontaktním měřením teploty pomocí luminiscenčních materiálů. V teoretické části práce byly na základě rešerše literatury vybrány luminiscenční materiály s ohledem na citlivost a pracovní rozsah teplot. V experimentální části práce byla změřena fotoluminiscence kvantových teček CdSe/ZnS a GaAs pro různé teploty a ze získaných hodnot byla určena relativní změna parametrů luminiscence jako poloha emisního píku, intenzita, poměr intenzit dvou píků a doba života luminiscence v souladu s očekáváním dle literatury. Dosažení vysokého prostorového rozlišení by bylo umožněno měřením katodoluminiscence, jejíž luminiscenční spektra mohou být získána s řádově vyšším prostorovým rozlišením. Tato měření a vliv elektronového svazku na kvalitu luminiscence vybraných materiálů bude předmětem dalšího experimentálního studia.
|
|
Terahertz radiation in nanostructures
Klimovič, Filip ; Ostatnický, Tomáš (vedoucí práce) ; Němec, Hynek (oponent)
V této teoretické práci se zabýváme kvantově mechanickými jevy, jež jsou spjaté s vodi- vostními elektrony uzavřenými v kvantových tečkách. Nejprve je odvozen model nanokrys- talu jakožto potenciálové jámy. Při tom se ukazuje, že pouze objem, ne tvar, je významným parametrem modelu pro účely terahertzové spektroskopie. Studované geometrie jsou tak vzájemně zaměnitelné a výběr mezi nimi m·že zjednodušit dané úlohy. Pro zkoumání depo- larizačních efekt·, které jsou zahrnuty v depolarizačním faktoru v Maxwell Garnettově teorii efektivního prostředí, je zvolena sférická symetrie. V rámci poruchy prvního řádu je vyřešena Poissonova rovnice pro elektrony rozmístěné uvnitř koule podle vlnové funkce a je určen depo- larizační faktor. Zatímco v klasické limitě tento nabývá p·vodní hodnoty, pro nanokrystaly se zvyšuje a maxima je dosaženo v ne-degenerovaném režimu, kdy je obsazen pouze základní stav. Navýšení depolarizačního faktoru posouvá plasmonovou rezonanci směrem k vyšším frekvencím. 1
|
|
Characterization of FRET sensor
Datinská, Vladimíra ; Klepárník, Karel ; Belšánová, B. ; Minárik, M. ; Foret, František
In this study, we present characterization of sensor based on Fӧrster resonance energy\ntransfer (FRET). The sensor is composed of ssDNA chain attached to a laboratory\nsynthesized quantum dot (QD). A complementary chain of a sample is labeled by a\nluminescent dye. When the dsDNA hybrid is formed, the energy from the QD (donor)\nis transferred to the dye (acceptor) and FRET is observed as a decrease of QD\nluminescence emission intensity and an increase of dye luminescence emission\nintensity.
|
|
Simulace kvantových celulárních automatů
Michálik, Juraj ; Bidlo, Michal (oponent) ; Sekanina, Lukáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce popisuje vznik a účel kvantových celulárních automatů (QCA), jejich funkci a fyzikální zhotovení. Popisuje také kvantově celulární buňku a zhotovení jednoduchých obvodů pomocí těchto buněk. Práce obsahuje přehled použitých simulátorů, detailně popisuje simulátor QCAD a příklady odsimulovaných obvodů. QCA jsou analyzovány z pohledu chyb při výrobě, složitosti fyzikálního zhotovení a významu pro moderní elektroniku. Vytvoření základu pro studijní materiál a tvorba příkladů pro základní pochopení principu činnosti kvantových celulárních automatů je její nedílnou součástí.
|
|
Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J.
The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.
|
| |