|
|
Grafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou grafenových struktur vhodných pro tranzistory řízené elektrickým polem. V první části je charakterizován grafen z hlediska jeho vlastností a metod přípravy. V části druhé je shrnuta polovodičová technika se zaměřením na tranzistory s grafenovou vrstvou. Následuje popis metody elektronové litografie, která byla použita při výrobě struktur. Na závěr je popsán experimentální postup přípravy grafenových struktur.
|
|
|
Studium vlastností periodických mřížek vytvořených elektronovou litografii
Krátký, Stanislav ; Opletal, Petr (oponent) ; Matějka, Milan (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá procesem tvorby reliéfních periodických struktur pomocí elektronové litografie. Popisuje, jak navrhnout tyto struktury pomocí počítače a následně je vytvořit elektronovým litografem. Dále se zabývá metodami, kterými můžeme tyto struktury měřit a vyhodnocovat. Tyto metody jsou použity k měření a vyhodnocení binárních periodických mřížek a pomocí získaných dat je stanovena závislost hloubky mřížky na její periodě. Práce se dále zabývá měřením difrakční účinnosti na zhotovených mřížkách a srovnáním závislostí jejich difrakční účinností na hloubce mřížky.
|
|
|
Výroba membrán pomocí anizotropního leptání křemíku
Balajka, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá přípravou membrán z oxidu křemičitého (SiO2) na křemíkovém (Si) substrátu pomocí anizotropního leptání křemíku. Masky pro anizotropní leptání křemíku byly vytvořeny pomocí elektronové litografie a chemického leptání SiO2. V práci jsou popsány jednotlivé kroky postupu přípravy membrán včetně použitých experimentálních podmínek. Za účelem optimalizace pracovního postupu bylo provedeno několik měření rychlosti leptání Si/SiO2 v různých roztocích. Výsledky těchto měření jsou zde rovněž uvedeny. Připravené membrány byly charakterizovány pomocí optické mikroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie a spektroskopické reflektometrie. Součástí práce je i popis metod použitých pro přípravu a analýzu definovaných struktur připravených pomocí anizotropního leptání křemíku.
|
|
|
Plazmonické struktury vytvořené pomocí elektronové litografie
Šimík, Marcel ; Urbánek,, Michal (oponent) ; Krátký, Stanislav (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá procesem tvorby plazmonických struktur pomocí elektronové litografie. Základním úkolem práce je vytvořit struktury publikované v NatureNanotechnology s použitím rezistu PMMA. Je vytvořeno několik variant motivů struktur s různými expozičními dávkami a tvary, aby bylo možné stanovit nejvýhodnější variantu. Z těchto variant je vyvozeno, které jsou nejefektivnější s použitím optického a elektronového mikroskopu. S těmito informacemi jsou vytvořeny a vyhodnoceny velkoplošné expozice.
|
|
|
Průmyslové aplikace optických nanoantén
Binková, Petra ; Édes, Zoltán (oponent) ; Babocký, Jiří (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá výrobou optických nanoantén pomocí elektronové litografie a jejich následným využitím v průmyslu. Byly navrhnuty optické komponenty, které by bylo možné využít jako ochranné prvky proti padělání plastových bankovek, ID karet, kreditních karet a podobně. Navržené struktury byly následně úspěšně vyrobeny a otestovány.
|
|
|
Plazmonicky aktivní nanostruktury pro optické filtrování
Idesová, Beáta ; Liška, Jiří (oponent) ; Rovenská, Katarína (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá barevnými optickými filtry tvořenými plazmonicky aktivními nanostrukturami a zkoumá parametry, jimiž je možné spektrální propustnost takovýchto filtrů ovlivňovat. Pomocí elektronové litografie a selektivního reaktivního iontového leptání byly vyrobeny plazmonické děrové filtry v hliníkovém filmu na křemenném substrátu. Vytvořená pole nanostruktur, plnící funkce optických filtrů, se lišila tvarem a velikostí nanostruktur, jejich vzájemnou vzdáleností a uspořádáním v polích. Vliv těchto faktorů na transmisní spektra plazmonických filtrů byl experimentálně analyzován pomocí optické spektroskopie. Většina z pozorovaných změn transmisních spekter byla v souladu s rešeršní studií, jež je taktéž součástí této práce. Nejvyšší selektivita barevného filtrování byla pozorována u struktur tvaru rozdělených čtverců, které zároveň vykazovaly poměrně vysokou míru transmisivity.
|
|
|
Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu.
|
|
|
Stanovení křivek citlivosti pro litograf s gaussovským svazkem
Šuľan, Dušan ; Horáček,, Miroslav (oponent) ; Krátký, Stanislav (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá procesem tvorby struktur pomocí elektronové litografie. Základním zaměřením práce je stanovení křivek citlivosti rezistu PMMA pro elektronový litograf Vistec EBPG 5000+ ES. Křivky citlivosti jsou stanoveny pro různé vývojky, doby vyvolávání a hloubky rezistu. Z těchto křivek jsou poté určeny citlivosti a kontrasty pro danou soustavu rezist-vývojka. Následně jsou křivky citlivosti aplikovány na korekce proximity efektu u reálných struktur, konkrétně u difrakčních periodických mřížek a potom vyhodnoceny.
|
|
|
Elektrostatické vychylovací a korekční systémy
Badin, Viktor ; Oral, Martin (oponent) ; Zlámal, Jakub (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje prozkoumání možností dynamické korekce vad v elektronové litografii. Pro výpočty byl zvolen elektronový litograf BS600. Práce se zabývá korekcí vad vychýlení třetího řádu: zklenutí pole, astigmatismu a zkreslení. Aberace byly spočteny jak pro současný magnetický vychyolvací systém, tak pro nově navržený elektrostatický deflektor. Vlastnosti a vady obou vychylovacích a korekčních systémů byly porovnány.
|
|
|
Transportní vlastnosti jednotlivých grafenových zrn
Vysocký, Filip ; Kormoš, Lukáš (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na výrobu jednotlivých grafenových zrn metodou chemické depozice z plynné fáze, jejich přenos na nevodivý substrát a následnou výrobu grafenových polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce pojednává převážně o různých způsobech výroby grafenu. V praktické části práce je popsána výroba grafenových polem řízených tranzistorů elektronovou litografií a měření jejich transportní vlastností.
|
host ::
RSS.