Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku.
Transportní vlastnosti jednotlivých grafenových zrn
Vysocký, Filip ; Kormoš, Lukáš (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na výrobu jednotlivých grafenových zrn metodou chemické depozice z plynné fáze, jejich přenos na nevodivý substrát a následnou výrobu grafenových polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce pojednává převážně o různých způsobech výroby grafenu. V praktické části práce je popsána výroba grafenových polem řízených tranzistorů elektronovou litografií a měření jejich transportní vlastností.
Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku.
Transportní vlastnosti jednotlivých grafenových zrn
Vysocký, Filip ; Kormoš, Lukáš (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na výrobu jednotlivých grafenových zrn metodou chemické depozice z plynné fáze, jejich přenos na nevodivý substrát a následnou výrobu grafenových polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce pojednává převážně o různých způsobech výroby grafenu. V praktické části práce je popsána výroba grafenových polem řízených tranzistorů elektronovou litografií a měření jejich transportní vlastností.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.