Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 25 záznamů.  1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Sorpce rizikových prvků na odpadní materiály z výroby olivového oleje
Hovorka, Miloš ; Száková, Jiřina (vedoucí práce) ; Trakal, Lukáš (oponent)
Hlavním cílem této diplomové práce je ověřit účinnost odpadního materiálu z výroby olivového oleje na imobilizaci rizikových prvků Pb, Cd a Zn v extrémně kontaminované půdě a experimentálně ověřit následující hypotézu: aplikace odpadního materiálu z výroby olivového oleje omezí dostupnost rizikových prvků v půdě a zároveň zlepší zásobenost půdy dostupnými živinami i biologické vlastnosti této půdy. Práce je členěna na dvě části a to na teoretickou část - literární přehled a část experimentální. Literární přehled obsahuje obecný popis rizikových prvků a jejich možných škodlivých vlivů na živé organismy, uvádí jejich možné zdroje vstupu do životního prostředí, popisuje chování těchto prvků v půdě, zejména děje, které se podílí na jejich retenci půdou. Dále jsou zde naznačeny možné metody remediace půdy kontaminované rizikovými prvky a podrobněji je popsána technika imobilizace pomocí půdních přídavků. Poslední podkapitola této části je věnována odpadnímu materiálu z výroby olivového oleje, jehož vlastnosti se testovali v experimentální části této práce. Experimentální část je zaměřena na ověření sorpčních schopností odpadního matriálu z výroby olivového oleje pro vybrané rizikové prvky. Jako odpadní materiál byl použit suchý olivový zbytek (označovaný jako DOR) a DOR po remediaci těmito druhy hub: štětičkovec žlutavý (Penicillium chrysogenum), outkovka druhu Coriolopsis floccosa, šedopórka osmahlá (Bjerkandela adusta) a pevník nachový (Chondrostereum purpureum). Pomocí analytických metod došlo ke stanovení koncentrací prvků, pH, bodu nulového náboje (pHpzc) a kationtové výměnné kapacity (KVK) u jednotlivých vzorků reprezentujících surový materiál DOR a DOR po remediaci vybranými druhy hub. Sorpčím experimentem byla u jednotlivých materiálů stanovena sorpční účinnost pro prvky Cd, Pb a Zn. Stabilita vazby rizikových prvků se sorbentem byla ověřena desorpcí. V laboratorních inkubačních experimentech se sledovala změna mobility rizikových prvků v kontaminované půdě v závislosti na dávce a typu odpadního materiálu. Zároveň se sledovaly i obsahy dostupných esenciálních prvků v půdě. Obsahy prvků byly stanoveny metodami atomové spektrometrie (ICP-OES) a výsledky vyhodnoceny adekvátními statistickými metodami. Výsledky ukázaly dobré sorpční schopnosti odpadního materiálu DOR, především po jeho transformaci pomocí různých druhů hub, pro rizikové prvky, a to zejména Pb, méně pak Cd a Zn. Desorpční experiment však prokázal nestabilitu vazeb prvků ve vzorcích DOR, zejména v případě Zn, která se projevila i při inkubačním experimentu. Tato nestabilita je zřejmě dána nízkým pH materiálu DOR, proto by bylo vhodné při dalších výzkumech brát v úvahu zvýšení hladiny pH těchto vzorků. Z hlediska prvkového složení se zdá být biotransformovaný DOR dobrým zdrojem minerálních živin. Přídavky DOR v půdě navíc zvýšily přístupnost živin jako je Cu, Fe a Mn pro rostliny.
Mapping of dopants in silicon by electron injection
Hovorka, Miloš ; Konvalina, Ivo ; Frank, Luděk ; Mikulík, P.
Dopants in sillicon based structures locally modifty the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. For probing the doped structures usually the elctron beam is used at energies around 1keV. However, the very low landing energy range has proven itself an effecient tool for mapping dopant in semiconductors.
Education and research at clean room laboratory for silicon device technology at Masaryk University
Mikulík, P. ; Humlíček, J. ; Hovorka, Miloš ; Kulha, P. ; Kadlec, F.
Masaryk University is operating a clean room laboratory for silicon device technology since April 2007. The laboratory has been designed in partnership with ON Semiconductor Czech Republic. The University covered the construction costs and the company provided guidance during zhe design and construction of the clean rooms and managed supply, installation and start-up of the technology equipment.
Scanning Very Low Energy Electron Microscopy
Müllerová, Ilona ; Hovorka, Miloš ; Mikmeková, Šárka ; Pokorná, Zuzana ; Mikmeková, Eliška ; Frank, Luděk
Recent developments in applications of the scanning very low energy electron microscopy in selected branches of materials science are reviewed. The examples include visualization of grains in conductive polycrystals including ultrafine grained metals, identification of the local crystal orientation upon reflectance of very slow electrons, transmission mode with ultrathin free-standing films including graphene, acquisition of a quantitative dopant contrast in semiconductors, and examination of thin surface coverages.
Image contrasts in the scanning electron microscopy
Konvalina, Ivo ; Hovorka, Miloš ; Mikmeková, Šárka ; Müllerová, Ilona
When interpreting the image contrasts we have to consider all instrument parameters that influence the transport of signal electrons to the detector. Several examples are presented.
Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
Hovorka, Miloš ; Konvalina, Ivo ; Frank, Luděk
We have focused on planar p-type structures of various dopant densities, embedded In an n-type substrate. The samples were observed in UHV electron microscope with the cathode lens. Imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to very low energies.
Prospects of the scanning low energy electron microscopy in materials science
Frank, Luděk ; Mikmeková, Šárka ; Konvalina, Ivo ; Müllerová, Ilona ; Hovorka, Miloš
Employment of the scanning low energy electron microscopy (SLEEM) has been slowly making its way into the field of materials science, hampered not by limitations in the technique but rather by the relative scarcity of these instruments in research institutes and laboratories.
Education and research at clean room laboratory for silicon device technology at Masaryk University
Mikulík, P. ; Humlíček, J. ; Kulha, P. ; Hovorka, Miloš ; Kadlec, Filip
We present education and research at university clean room microelectronics laboratory for silicon device technology opened at Masaryk University in 2007. T
Transmission mode in scanning low enery electron microscope
Müllerová, Ilona ; Hovorka, Miloš ; Frank, Luděk
We incorporated the cathode lens (CL) principle, well known from the emission microscope, to the SEM in order to operate at very low landing energies. The primary beam electrons of several keV are decelerated to nearly zero energy of landing on the specimen negatively biased to high potential. Reflected electrons are collected on a grounded detector situated above the sample but the same can be done below the sample of a fair transparency for electrons. High collection efficiency and high amplification of both detectors is secured thanks to the cathode lens field. We use a scintillation detector for the reflected mode and a semiconductor structure for the transmitted electron (TE) mode. In this arrangement resolution of few nm is obtainable across the full energy range.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 25 záznamů.   1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
3 Hovorka, Marek
9 Hovorka, Martin
3 Hovorka, Miroslav
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.