Název: Mapping of dopants in silicon by electron injection
Autoři: Hovorka, Miloš ; Konvalina, Ivo ; Frank, Luděk ; Mikulík, P.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Physics at Nanoscale. IUVSTA International Summer School /10./, Devět skal (CZ), 2012-05-30 / 2012-06-04
Rok: 2012
Jazyk: eng
Abstrakt: Dopants in sillicon based structures locally modifty the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. For probing the doped structures usually the elctron beam is used at energies around 1keV. However, the very low landing energy range has proven itself an effecient tool for mapping dopant in semiconductors.
Klíčová slova: electron injection; mapping of dopants in sillicon
Zdrojový dokument: Physic and Nanoscale. (Proceedings of the 10th IUVSTA International Summer School ), ISBN 978-80-260-0619-0

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0215756

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-136013


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference