Název: Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
Autoři: Hovorka, Miloš ; Konvalina, Ivo ; Frank, Luděk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Mikroskopie 2011, Nové Město na Moravě (CZ), 2011-02-17 / 2011-02-18
Rok: 2011
Jazyk: eng
Abstrakt: We have focused on planar p-type structures of various dopant densities, embedded In an n-type substrate. The samples were observed in UHV electron microscope with the cathode lens. Imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to very low energies.
Klíčová slova: mapping dopants; semiconductors
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP)
Zdrojový dokument: Mikroskopie 2011, ISBN N

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0006670

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-71591


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference