Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 22 záznamů.  začátekpředchozí13 - 22  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.
Vlastnosti vertikálně uspořádaných struktur kvantových teček
Hospodková, Alice ; Kuldová, Karla ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří
Studovali jsme překryv vlnových funkcí vrstvených kvantových teček (QD). Zjistili jsme, že pro vzorek s oddělovací vrstvou tlustou 15 nm jsou elektronové vlnové funkce QD ve vrstvě plně oddělené. Zjistili jsme, že pro oddělovací vrstvu tlustou okolo 7 nm se elektronové vlnové funkce menších QD z hlubších vrstev stále překrývají, zatímco elektronové vlnové funkce větších QD ve vrchních vrstvách zůstávají oddělené.
Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE
Hulicius, Eduard ; Pacherová, Oliva ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav ; Melichar, Karel ; Petříček, Otto ; Chráska, T. ; Holý, V. ; Vávra, I. ; Ouattara, L.
Zjistili jsme, že strmost a symetrie na atomární úrovni je také dosažitelná s technologií MOVPE. V těchto strukturách jsme schopni nalézt pouze periodicitu, zatímco obrázky s rozlišením na atomární úrovni dávají spolehlivé údaje o tlouštce.
InAs/GaAs quantum-size structures grown by MOVPE
Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav
Structures with quantum size objects as self-organised quantum dots, quantum rings, wires and quasi-quantum wells could be reproducibly grown by MOVPE. The advantage of MOVPE technology is its material variability, operating costs and relation to the industry.
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Hospodková, Alice ; Šimeček, Tomislav
Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 22 záznamů.   začátekpředchozí13 - 22  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.