|
| |
|
|
Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2
Tomková, Renáta ; Zahradníček, Radim (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
|
|
|
Grafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou grafenových struktur vhodných pro tranzistory řízené elektrickým polem. V první části je charakterizován grafen z hlediska jeho vlastností a metod přípravy. V části druhé je shrnuta polovodičová technika se zaměřením na tranzistory s grafenovou vrstvou. Následuje popis metody elektronové litografie, která byla použita při výrobě struktur. Na závěr je popsán experimentální postup přípravy grafenových struktur.
|
|
| |
|
|
Vytvoření přípravku pro určení optimálního nastavení fotovoltaických panelů
KRČKA, Pavel
Tato bakalářská práce se zabývá tématem přeměny slunečního záření ve fotovoltaických systémech na elektrickou energii. Nejprve je poukázáno na problematiku těžby a spalování fosilních paliv. Následně jsou popsány dispozice (možnosti) slunečního záření na zemském povrchu, jenž je možné efektivně využívat ve fotovoltaických systémech. Také je zde podrobně probrán princip fotoelektrického jevu, na němž je založena činnost nejrůznějších typů fotovoltaických článků, které představují základní stavební prvky každého fotovoltaického panelu. Hlavní část textu je pak zaměřena na vytvoření přípravku, kterým je možné měřit optimální úhel a orientaci fotovoltaických panelů, při kterém by měly zmíněné fotovoltaické panely maximální energetický výnos v průběhu dne v daném ročním období.
|
|
| |
|
| |
|
|
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
|
|
| |
|
| |
host ::
RSS.