Oswald, Jiří - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Oswald, Jiří

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	InAs/GaAs quantum-size structures grown by MOVPE Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav Structures with quantum size objects as self-organised quantum dots, quantum rings, wires and quasi-quantum wells could be reproducibly grown by MOVPE. The advantage of MOVPE technology is its material variability, operating costs and relation to the industry. Úplný záznam
	Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs Hazdra, P. ; Voves, J. ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Petříček, Otto ; Kuldová, Karla The dependence of the electroluminescence spectra on the number of ë-InAs layers and on the distance of these ë-InAs layers was studied under pulse excitation in the wide range of current densities. Úplný záznam
	Optická reflexe a fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs Humlíček, J. ; Navrátil, K. ; Lorenc, M. ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard Úplný záznam
	Struktury kvantových teček v systému InAs/GaAs, připravené metodou LP-MOVPE Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav Úplný záznam
	Příprava a charakterizace kvantově-rozměrových struktur připravených z polovodičů A III B V technologií MOVPE Hulicius, Eduard ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Oswald, Jiří ; Vorlíček, Vladimír ; Kuldová, Karla Úplný záznam
	Vlastnosti Nd: YAP vlnovodových vrstev vytvářených laserem Jelínek, Miroslav ; Lančok, Ján ; Oswald, Jiří ; Studnička, Václav Úplný záznam
	Strained In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav Úplný záznam
	Preparation and properties of InAs/GaAs lasers Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Petříček, Otto ; Karel, František Úplný záznam
	Luminiscenční vlastnosti Er:YAG a Er:YAP tenkých vrstev připravených pulsní laserovou ablací Pavelka, Martin ; Jelínek, Miroslav ; Lančok, Ján ; Oswald, Jiří Luminiscenční vlastnosti Er:YAG a Er:YAP tenkých vrstev byli studovány s ohledem na přípravu planárních vlnovodových laserů Úplný záznam
	Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Hospodková, Alice ; Šimeček, Tomislav Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC. Úplný záznam

Viz též: podobná jména autorů
1	Oswald, Jaroslav

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English