|
| |
|
| |
|
|
Profiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures
Hovorka, Miloš ; Mika, Filip ; Frank, Luděk ; Mikulík, P.
We have focused on variously doped n-type pattems on a lightly doped p-type substrate because of lack of data for these structures. We have designed and prepared planar structures of this kind at the university clean room. Combination of the UHV SEM and PEEM microscooes should facilitate possible quantifying of the the doping levels in the n-type areas and explanation of their contrast with respect to the p-type substrate. In addition to the SEM observations at very low energies (down to the units of eV), we performed the laterally resolved threshold and soft X-ray spectroscopies in a PEEM equipped with an energy filter.
|
|
|
Detekce signálu v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomocí detektorů sekundárních elektronů
Konvalina, Ivo ; Hovorka, Miloš ; Dvořáková, Marie ; Müllerová, Ilona
Detekce sekundárních elektronů byla studována v mikroskopech, kde magnetické pole objektivu proniká k povrchu vzorku a v uspořádání bez magnetického pole v oblasti vzorku. Sběrová účinnost detektorů sekundárních elektronů je závislá na jejich energiové a úhlové citlivosti, která je ovlivněná rozložením magnetických a elektrostatických polí v okolí vzorku. Byly provedeny simulace a vyhodnocení trajektorií sekundárních elektronů v závislosti na jejich energii a úhlovém rozložení. Na základě vypočtené sběrové účinnosti byly porovnány detektory sekundárních elektronů v daném uspořádání. Pro potvrzení simulací posloužil vzorek s částicemi zlata na uhlíku.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Detekční strategie pro sběr sekundárních elektronů v REM
Konvalina, Ivo ; Hovorka, Miloš ; Wandrol, Petr ; Mika, Filip ; Müllerová, Ilona
Sekundární elektrony (SE) jsou v rastrovacím elektronovém mikroskopu (REM) obvykle detekovány pomocí Everhartova-Thornleyho (ET) detektoru, jehož slabé elektrostatické pole přitahuje nízko energiové SE; takový systém nazveme standardní. Tento systém se používá více než 40 let. Moderní REM dosahují zlepšení obrazového rozlišení vlivem silného magnetického pole objektivové čočky, které proniká do oblasti vzorku (tzv. imerzní systém). V tomto případě se obvykle používají dva SE detektory: jeden umístěný pod objektivem (spodní detektor) a druhý se nachází uvnitř objektivu (horní detektor). Výsledný kontrast obrazu sekundárních elektronů stejného vzorku se mění s energiovou a úhlovou citlivostí detektoru, v závislosti na rozložení elektrostatického a magnetického pole v okolí vzorku. Studium sběrové účinnosti jednotlivých detektorů je nezbytné pro správnou interpretaci pozorovaného kontrastu.
|
|
|
Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru
Hovorka, Miloš ; Frank, Luděk ; Valdaitsev, D. ; Nepijko, S. ; Elmers, H. ; Schönhense, G.
Fotoemisní elektronový mikroskop vybavený filtrem typu horní propusti představuje povrchově citlivý nástroj, který posloužil ke studiu elektronově optického kontrastu mezi různě dopovanými oblastmi v křemíku. Vzorky byly pokryty nativním oxidem, jednalo se o p-typ a n-typ s koncentrací dopantů od 1015 to 1019 cm-3. Z naměřených dat vyplývá, že v nefiltrované fotoemisi kontrast postupně vymizí s klesající koncentrací dopantů, avšak ve filtrované fotoemisi dochází k inverzi kontrastu, který zůstává zachován i pro nejnižší koncentraci dopantů. Rozdíl v prahu fotoemise mezi p- a n-typem udává posun mezi příslušnými energiovými spektry a dosahuje hodnoty až 0.2 eV pro nejvyšší koncetraci dopantů.
|
|
| |
host ::
RSS.