Název: Profiling of N-Type Dopants in Silicon Based Structures
Autoři: Hovorka, Miloš ; Mika, Filip ; Frank, Luděk ; Mikulík, P.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: CJCS’09 - Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology /4./, Brno (CZ), 2009-08-10 / 2009-08-14
Rok: 2009
Jazyk: eng
Abstrakt: We have focused on variously doped n-type pattems on a lightly doped p-type substrate because of lack of data for these structures. We have designed and prepared planar structures of this kind at the university clean room. Combination of the UHV SEM and PEEM microscooes should facilitate possible quantifying of the the doping levels in the n-type areas and explanation of their contrast with respect to the p-type substrate. In addition to the SEM observations at very low energies (down to the units of eV), we performed the laterally resolved threshold and soft X-ray spectroscopies in a PEEM equipped with an energy filter.
Klíčová slova: doping levels; n-type substrate; PEEM; SEM
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), GP102/09/P543 (CEP), IAA100650803 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS’09), ISBN 978-80-254-4535-8

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0179799

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-40965


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference